Characterization of in-plane photoconductivity of InAs QDs layers and its application to photoconductive antenna

InAs量子点层面内光电导特性及其在光电导天线中的应用

• 批准号: 26889043
• 负责人: Kumagai Naoto
• 金额: $ 1.75万
• 依托单位: The University of Tokushima
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
• 财政年份: 2014
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2014-08-29 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-26889043/
• 关键词: 量子ドット; 光伝導アンテナ; テラヘルツ; 分子線エピタキシー

项目成果

超高速キャリア緩和InAs 量子ドット積層構造の面内光伝導

超快载流子弛豫InAs量子点堆叠结构中的面内光电导

• 发表时间: 2014
• 作者: 熊谷直人;村雲圭佑;北田貴弘;井須俊郎
• 通讯作者: 井須俊郎

歪緩和InGaAs層に埋め込んだInAs量子ドット層の面内光伝導特性

嵌入应变弛豫 InGaAs 层中的 InAs 量子点层的面内光电导特性

• 发表时间: 2015
• 作者: 村雲 圭佑;熊谷 直人;北田 貴弘;井須 俊郎
• 通讯作者: 井須 俊郎

1.5umパルス励起によるInAs量子ドット光伝導アンテナ構造の光電流

1.5um脉冲激励下InAs量子点光电导天线结构中的光电流

• 发表时间: 2015
• 作者: 村雲圭祐;熊谷直人;蘆翔孟;北田貴弘;井須俊郎
• 通讯作者: 井須俊郎

量子ドット光伝導スイッチのメサ加工による暗電流の抑制

量子点光电导开关台面处理抑制暗电流

• 发表时间: 2015
• 作者: 村雲圭佑;山岡裕也;熊谷直人;北田貴弘;井須俊郎
• 通讯作者: 井須俊郎

Photoconductivity of Er-doped InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs layers with 1.5 um cw and pulse excitation

嵌入应变弛豫 InGaAs 层中的掺铒 InAs 量子点的光电导性，采用 1.5 um 连续波和脉冲激发

• DOI: 10.7567/jjap.55.04eh12
• 发表时间: 2016
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: Keisuke Murakumo,YuyaYamaoka;Naoto Kumagai;Takahiro Kitada;and Toshiro Isu
• 通讯作者: and Toshiro Isu