ブロッホ軌道エンジニアリングとハイエントロピー化による高性能熱電材料の創製

通过布洛赫轨道工程和高熵创造高性能热电材料

基本信息

  • 批准号:
    22K20486
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.83万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
  • 财政年份:
    2022
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2022-08-31 至 2024-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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岩崎 祐昂其他文献

Structure of oxide hypermaterials
氧化物超材料的结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    瓜生 寛堂;山田 庸公;宮尾 直哉;石川 明日香;田村隆治;岩崎 祐昂;北原 功一;木村 薫;劉 暢;吉田 亮;植松英之;山田 庸公
  • 通讯作者:
    山田 庸公
粉末X線回折図形から準結晶相同定を行うための機械学習モデル
用于从粉末 X 射线衍射图识别准晶相的机器学习模型
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    瓜生 寛堂;山田 庸公;宮尾 直哉;石川 明日香;田村 隆治;岩崎 祐昂;北原 功一;木村 薫;劉 暢;吉田 亮
  • 通讯作者:
    吉田 亮
Al-Si-Ru 系近似結晶半導体の 熱電特性におけるキャリアドー プ効果
载流子掺杂对Al-Si-Ru基近晶半导体热电性能的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    五十嵐 滉介;岩崎 祐昂; 北原 功一;木村 薫
  • 通讯作者:
    木村 薫

岩崎 祐昂的其他文献

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  • 通讯作者:
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{{ truncateString('岩崎 祐昂', 18)}}的其他基金

半導体ハイエントロピー合金による高出力熱電素子の創製
使用半导体高熵合金创建高功率热电元件
  • 批准号:
    24K17495
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Search for a semiconducting quasicrystal and its application for thermoelectric materials by band engineering
通过能带工程寻找半导体准晶及其在热电材料中的应用
  • 批准号:
    19J21779
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 1.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows

相似国自然基金

運用大動量有效理論以第一性原理計算部分子分布函數
  • 批准号:
    11905126
  • 批准年份:
    2019
  • 资助金额:
    30.0 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目

相似海外基金

重い電子系に対する第一原理計算の開発と展開
重型电子系统第一性原理计算的开发和扩展
  • 批准号:
    23K25827
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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阐明矿物中的氢同位素效应:通过第一原理路径积分分子动力学计算和高压实验进行开发
  • 批准号:
    23K25969
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.83万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
第一原理計算を用いた金属表面吸着水の研究
利用第一性原理计算研究金属表面吸附水
  • 批准号:
    24K08241
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
フェムト秒パルスと物質の相互作用における緩和メカニズムの第一原理計算による解明
使用第一性原理计算阐明飞秒脉冲与物质相互作用的弛豫机制
  • 批准号:
    24K08277
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
パワーデバイス応用に向けたGaNの点欠陥制御および絶縁膜界面制御の第一原理計算
功率器件应用中GaN点缺陷控制和绝缘膜界面控制的第一性原理计算
  • 批准号:
    24K08270
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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