Preparation and characterization of high quality bismuth ferrite based thin films-for improvement of piezoelectric and insulating properties-

高质量铁氧体铋基薄膜的制备和表征-用于改善压电和绝缘性能-

• 批准号: 21860069
• 负责人: NAKASHIMA Seiji
• 金额: $ 1.71万
• 依托单位: University of Hyogo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-21860069/
• 关键词: マルチフェロイック; 強誘電性; 圧電性; 絶縁性; ビスマスフェライト; 薄膜; リーク電流; イオンビームスパッタ; イオンビームスハッタ

Inverse piezoelectric properties of BiFeO_3 (BFO) thin films have been precisely investigated by in-situ observation of crystal structural deformation under an electric field. Moreover, ion beam sputtering process has been employed for high quality BFO thin film deposition for the first time, and ferroelectric hysteresis loops have been successfully obtained at RT. Furthermore, large c/a ratio BFO phase which is expected excellent ferroelectric properties by the first-principle calculation has also obtained.

通过原位观察电场下晶体结构变形，精确研究了 BiFeO_3 (BFO) 薄膜的逆压电特性。此外，首次采用离子束溅射工艺沉积高质量BFO薄膜，并在室温下成功获得铁电磁滞回线。此外，还获得了通过第一原理计算预计具有优异铁电特性的大c/a比的BFO相。

项目成果

デュアルイオンビームスパッタ法を用いたBiFeO3薄膜の作製

双离子束溅射法制备BiFeO3薄膜

• 发表时间: 2011
• 作者: 中嶋誠二;藤沢浩訓;他
• 通讯作者: 他

BiFeO_3薄膜におけるリーク電流の面内マッピング

BiFeO_3 薄膜漏电流的面内测绘

• 发表时间: 2009
• 作者: S.K.Sahari;H.Murakami;T.Fujioka;T.Bando;A.Ohta;K.Makihara;S.Higashi;S.Miyazaki;中嶋誠二
• 通讯作者: 中嶋誠二

X-ray Diffraction Study of Electric-field-induced Strains in Polycrystalline BiFeO_<3> Thin Films at Low Temperature Using Synchrotron Radiation

利用同步辐射的X射线衍射研究低温多晶BiFeO_<3>薄膜中电场引起的应变

• 发表时间: 2011
• 期刊: J.Kor.Phys.Soc.
• 作者: S.Nakashima;H.Fujisawa;et al.
• 通讯作者: et al.

Leakage Current Paths in Polycrystalline BiFeO_3 Thin Films Observed by SPM

SPM观察多晶BiFeO_3薄膜中的漏电流路径

• 发表时间: 2009
• 作者: K.Iwashita;Z.S.Wu;T.Hashimoto;福井孝太郎,草野世大,鈴木悠人,迎田美和,高西淳夫,誉田雅彰;式王美子;Y.Sakurai;中嶋誠二
• 通讯作者: 中嶋誠二

電場印加下でのその場X線回折用温度制御試料チャンバ

用于外加电场下原位 X 射线衍射的温控样品室

• 发表时间: 2010
• 作者: 菊地謙次;望月修;坂田修身
• 通讯作者: 坂田修身