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Research on vertical InP-related hot electron transistors with insulated gate
垂直InP型绝缘栅热电子晶体管研究
基本信息
- 批准号：19206038
- 负责人：
- 金额：$ 26.21万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2007
- 资助国家：日本
- 起止时间：2007 至 2009
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
High current density (6MA/cm^2) that was important for high speed operation was achieved by using a 15-nm-wide source that was narrowest in compound semiconductor vertical transistors. Moreover, the current drivability without dependence of channel length was confirmed and suggested that electron transportation in the channel was ballistic. High-k dielectric for high drivability and regrown source for extension of the scheme in lateral device were also studied.
对于高速操作很重要的高电流密度（6mA/cm^2）是通过使用15 nm宽的源在复合半导体垂直晶体管中最窄的源来实现的。此外，确认了当前无依赖通道长度的驱动性，并建议通道中的电子传输是弹道的。还研究了用于高驱动性的高介电介质和在横向设备中扩展该方案的重新源。
项目成果
期刊论文数量（68）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
In-situ Etching in MOCPE for Thin Collector of InP HBT with Buried SiO_2 Wire
埋入SiO_2线的InP HBT薄集电极MOCPE原位刻蚀
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K.Mizutani;T.Miyamoto;K.Sakaguchi;K.Araki;Y.Miyamoto
- 通讯作者：Y.Miyamoto
Fabrication of hot electron transistors controlled by insulated gate
绝缘栅控制热电子晶体管的制作
- DOI：
- 发表时间：2007
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Hino;A. Suwa;T. Hasegawa;H. Saito;M. Oono;Y. Miyamoto;K. Furuya
- 通讯作者：K. Furuya
絶縁ゲート制御型ホットエレクトロントランジスタのゲート制御能力向上
提高绝缘栅控热电子晶体管的栅控能力
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：齋藤 尚史;孟 伶我;宮本 恭幸;古屋 一仁
- 通讯作者：古屋 一仁
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Simulation of the Short Channel Effect in GaN HEMT with a Combined Thin Undoped Channel and Semi-Insulating Layer
结合薄未掺杂沟道和半绝缘层的 GaN HEMT 中的短沟道效应仿真
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- 影响因子：0.5
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MIYAMOTO Yasuyuki
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- 资助金额：
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