Control of structure and property in new low dimensional structures on Si nanomembrane
硅纳米膜上新型低维结构的结构和性能控制
基本信息
- 批准号:19206005
- 负责人:
- 金额:$ 27.62万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份:2007
- 资助国家:日本
- 起止时间:2007 至 2009
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
GaN has been integrated on Si(001) via Si(111)-SOI structure by MBE, demonstrating the validity of symmetry conversion via Si(111)-SOI for epitaxial growth with symmetry mismatch. Transport properties of various low-dimensional systems have been also investigated, finding out that the conductivity of Si(111)-SOI is strongly surface dependent by scanning tunneling microscopy and 4-probe measurements.
通过 MBE,GaN 通过 Si(111)-SOI 结构集成在 Si(001) 上,证明了通过 Si(111)-SOI 对称转换对于对称失配外延生长的有效性。还研究了各种低维系统的传输特性,通过扫描隧道显微镜和 4 探针测量发现 Si(111)-SOI 的电导率强烈依赖于表面。
项目成果
期刊论文数量(37)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Formation of highly crystalline C60 molecular films on a Bi(0001)/Si(111) surface
Bi(0001)/Si(111)表面高结晶C60分子薄膜的形成
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:A. I. Oreshkin;R. Z. Bakhtizin;J. T. Sadowski;Y. Fujikawa;T. Sakurai
- 通讯作者:T. Sakurai
Silicon on insulator for symmetry-converted growth
- DOI:10.1063/1.2748099
- 发表时间:2007-06-11
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:Fujikawa, Y.;Yamada-Takamura, Y.;Sakurai, T.
- 通讯作者:Sakurai, T.
Spontaneous aggregation of pentacene molecules and its influence on field effect mobility
- DOI:10.1063/1.2749721
- 发表时间:2007-06
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:Genki Yoshikawa;J. Sadowski;A. Al‐Mahboob;Y. Fujikawa;T. Sakurai;Y. Tsuruma;S. Ikeda;K. Saiki
- 通讯作者:Genki Yoshikawa;J. Sadowski;A. Al‐Mahboob;Y. Fujikawa;T. Sakurai;Y. Tsuruma;S. Ikeda;K. Saiki
Growth Mechanism of Anisotropic Pentacene Thin Film
各向异性并五苯薄膜的生长机理
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Fujikawa;et al.
- 通讯作者:et al.
Adsorption and electronic structure of single C60F18 molecule on Si(111)-7x7 surface
Si(111)-7x7表面上单个C60F18分子的吸附和电子结构
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:R. Z. Bakhtizin;A. I. Oreshkin;P. Murugan;Vijay Kumar;J. T. Sadowski;Y. Fujikawa;Y. Kawazoe;T. Sakurai
- 通讯作者:T. Sakurai
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
FUJIKAWA Yasunori其他文献
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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$ 27.62万 - 项目类别:
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