Device modeling of SiC bipolar junction transistors and fabrication of high-frequency power converters

SiC 双极结型晶体管的器件建模和高频功率转换器的制造

• 批准号: 16H06890
• 负责人: Okuda Takafumi
• 金额: $ 1.91万
• 依托单位: Kyoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
• 财政年份: 2016
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2016-08-26 至 2018-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-16H06890/
• 关键词: 炭化珪素; バイポーラトランジスタ; 電力変換回路; ベース駆動回路; 高周波動作; デバイスモデリング; スイッチング特性; SiC; 回路シミュレーション

项目成果

高温環境下におけるSiC SBDの動特性のモデリング

高温环境下SiC SBD动态特性建模

• 发表时间: 2017
• 作者: 伊藤英之;佐藤悠;小林宏美;森村成樹;大沼学;村山美穂;橋本和樹，奥田貴史，引原隆士;前田凌佑，奥田貴史，引原隆士
• 通讯作者: 前田凌佑，奥田貴史，引原隆士

Analysis of dynamic characteristics of SiC Schottky barrier diodes at high switching frequency based on junction capacitance

基于结电容的SiC肖特基势垒二极管高开关频率动态特性分析

• DOI: 10.7567/jjap.57.04ff01
• 发表时间: 2018
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: Maeda Ryosuke;Okuda Takafumi;Hikihara Takashi
• 通讯作者: Hikihara Takashi

Impact of Annealing Temperature on Surface Passivation of SiC Epitaxial Layers with Deposited SiO2 Followed by POCl3 Annealing

退火温度对沉积 SiO2 后进行 POCl3 退火的 SiC 外延层表面钝化的影响

• 发表时间: 2016
• 作者: Takafumi Okuda;Takuma Kobayashi;Tsunenobu Kimoto;and Jun Suda
• 通讯作者: and Jun Suda

A comparative study on electrical characteristics of 1-kV pnp and npn SiC bipolar junction transistors

• DOI: 10.7567/jjap.57.04fr04
• 发表时间: 2018-02
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: T. Okuda;T. Kimoto;J. Suda

フライバックコンバータの電圧波形の振動に関する一検討

反激变换器电压波形振动的研究

• 发表时间: 2017
• 作者: 伊藤英之;佐藤悠;小林宏美;森村成樹;大沼学;村山美穂;橋本和樹，奥田貴史，引原隆士
• 通讯作者: 橋本和樹，奥田貴史，引原隆士