Solution-based gate dielectrics for high performance graphene transistors

用于高性能石墨烯晶体管的基于溶液的栅极电介质

基本信息

批准号：
16H06631
负责人：
PARK GOONHO
金额：
$ 1万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-08-26 至 2017-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（2）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Solution-based formation of high quality gate dielectrics on graphene using microwave-assisted annealing

使用微波辅助退火在石墨烯上基于溶液形成高质量栅极电介质

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kwan-Soo Kim;Goon-Ho Park;Hirokazu Fukidome;Tetsuya Suemitsu;Taiichi Otsuji;Maki Suemitsu
通讯作者：
Maki Suemitsu

DOI：
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作者：
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