Self-assembled monolayer-based gate dielectrics in MIS structure and its application to functional nano-electronic devices

MIS结构自组装单层栅介质及其在功能纳米电子器件中的应用

基本信息

  • 批准号：
    15H06204
  • 负责人：
    Kawanago Takamasa
  • 金额：
    $ 1.91万
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
  • 财政年份：
    2015
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2015-08-28 至 2017-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（11）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Use of self-assembled monolayers for selective metal removal and ultrathin gate dielectrics in MoS2 field-effect transistors
  • DOI：
    10.7567/jjap.56.04cp10
  • 发表时间：
    2017-03
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    W. Du;T. Kawanago;S. Oda
  • 通讯作者：
    W. Du;T. Kawanago;S. Oda
Using Self-Assembled Monolayers for Selective Metal Removing and Ultrathin Gate Dielectrics in MoS2 Field-Effect Transistors
使用自组装单层材料选择性金属去除和 MoS2 场效应晶体管中的超薄栅极电介质
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Wanjing Du;Takamasa Kawanago;and Shunri Oda
  • 通讯作者：
    and Shunri Oda
自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた低電圧駆動MoS2 FETの作製
自组装单层作为栅极绝缘膜的低压驱动MoS2 FET的制作
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    川那子 高暢;小田 俊理
  • 通讯作者：
    小田 俊理
自己組織化単分子膜を用いたadhesion lithographyによるMoS2 FETの作製
使用自组装单层粘附光刻法制造 MoS2 FET
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Takamasa Kawanago and Shunri Oda;川那子 高暢，居駒 遼，Wanjing Du，小田 俊理
  • 通讯作者：
    川那子 高暢，居駒 遼，Wanjing Du，小田 俊理
Self-Assembled Monolayer-based Gate Dielectrics for MoS2 FET
用于 MoS2 FET 的自组装单层栅极电介质
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Takamasa Kawanago;and Shunri Oda
  • 通讯作者：
    and Shunri Oda
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    Applied Physics Letters
  • 影响因子：
    4
  • 作者：
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  • 通讯作者：
    Takagi Hiroyuki
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  • DOI：
  • 发表时间：
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  • 影响因子：
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    Kawanago Takamasa;Ikoma Ryo;Oba Tomoaki;Takagi Hiroyuki;川那子高暢，松﨑貴広，小田俊理
  • 通讯作者：
    川那子高暢，松﨑貴広，小田俊理
Experimental demonstration of high-gain CMOS inverter operation at low V <sub> dd </sub> down to 0.5 V consisting of WSe<sub>2</sub> n/p FETs
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    2022
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    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Kawanago Takamasa;Matsuzaki Takahiro;Kajikawa Ryosuke;Muneta Iriya;Hoshii Takuya;Kakushima Kuniyuki;Tsutsui Kazuo;Wakabayashi Hitoshi
  • 通讯作者：
    Wakabayashi Hitoshi

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