有機金属原料を用いたシンクロトロン放射光励起によるII-VI族化合物半導体の低温成長

使用有机金属原料的同步辐射激发低温生长 II-VI 族化合物半导体

基本信息

批准号：
06650034
负责人：
西尾光弘
金额：
$ 1.34万
依托单位：
Okazaki National Research Institutes
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1994
资助国家：
日本
起止时间：
1994 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

実験は,分子科学研究所極端紫外光施設の専用ビームライン(BL4A,白色光)で実施し,結晶成長に対しては自作した装置(成長装置,特殊な差動排気装置,ガス導入システム,排ガス処理装置)を利用し,原料の吸着,分解状態の観察は,既存の表面分析装置を用いて行った。成長実験の場合,原料としてDEZn,DETe,DESeをキャリアガスとしてH_2をそれぞれ使用し,同時供給ガスフロー法と交互供給法の2つの供給方式でGaAs(100)面基板上へのZnTe,ZnSeの成長を実施した。その結果,励起光源としてシンクロトロン放射光(SR光)を用いると,供給法によらず室温でのエピタキシャル成長が可能となること,膜中へのC汚染は殆んど見られないこと等の特有の低温結晶成長が実現できることを実証した。各種成長条件(基板温度,原料供給量,VI/II比,窓材の有無等)と成長速度の関係,成長膜の厚さ分布と光強度分布との関係等を詳しく調べ,表面励起過程が重要であること,高い効率(量子効率0.7%以上,成長効率280〜4300μm/mol)が室温成長において得られること,150nm以上の波長の光は成長に寄与しないこと等を明らかにした。また,交互供給法により,マクロ的に見てもミクロ的に見ても良好な表面状態を有するエピタキシャル膜が室温で実現できること,更に原料供給量に対し成長速度がZnTe単分子層に相当する量で完全に飽和することを見いだしており,励起光源としてSR光を用いることにより室温でのALE成長の可能性を実証した。原料の吸着,分解状態の観察に関しては,今の所,GaAs(100)基板上のDEZn吸着層へのSR光照射効果をXPSで調べたに過ぎない。しかしながら,SR光照射によりDEZnは-150℃においても分解されること,Cは脱離し,表面に殆んど残らないこと等のSR光の有用性がミクロ的なレベルからも少しづつ明らかとなっており,本結晶成長を理解する上で有益な知見が得られている。

该实验在分子科学研究所的极端紫外线的专用梁系（BL4A，白光）上进行使用现有的表面分析设备使用加工设备，使用了原材料的吸附和分解。在增长实验的情况下，H_2使用H_2作为原材料，并在GAAS（100）基础板上同时使用了两种供应方法，同时供应气流方法和替代供应方法。结果，如果同步辐射光（SR光）用作激发光源，无论供应方法如何温度晶体的生长可以实现。各种生长条件（基材温度，原材料供应，VI/II比，窗户材料等），生长速度等，膜厚度分布和光强度分布等之间的关系。重要的是，高效率（量子效率为0.7％或以上，生长效率为280-4300μm/mol）在室温的增长中获得，而波长为150 nm或更高的波长不会导致生长。此外，根据交替的供应方法，可以在室温下实现具有良好表面状态的外延膜，并且生长速度等于我们发现的原材料供应它完全饱和，并通过使用SR光作为激发光源来证明在室温下啤酒生长的可能性。关于观察原材料的吸附和分解状态，只能检查SR光照射对GAAS（100）底物上DEZN吸附层的效应。但是，从SR光的有用性（例如SR光照射）中逐渐揭示了它，即使在-150°C下也被拆卸，C逐渐消失，并且很少保持在表面上了解这种晶体生长。