高気圧非平衡反応性プラズマ制御による新規の球穀構造ナノシリコン物質探索

利用反气旋非平衡反应等离子体控制寻找新型晶粒结构纳米硅材料

基本信息

  • 批准号:
    15654079
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.3万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 财政年份:
    2003
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2003 至 2005
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

1.平成16年度までは,容量結合支援誘導結合型高周波放電による高気圧反応性プラズマ発生装置を用いて,高気圧プラズマでヘキサメチルジシロキサンHMDSOを使用した球殻構造ナノスケールシリコン(Si)物質(Siフラーレン)形成実験を行ってきたが,HMDSO中の酸素,炭素が不純物として残留し,Siフラーレン形成が困難となる問題が発生したため,平成17年度は新しいSiフラーレン形成方法として,電子銃を利用したSiプラズマの生成を試み,それを用いた新規原子内包Siフラーレンの形成実験を行った.2.直径14cmのステンレス製真空容器内部に電子銃を設置し,熱電子をSi固体に照射することでSiプラズマを生成する.Siプラズマは電子銃からの電子電流によって制御可能である.3.本研究ではSiクラスターに内包させる物質として,ガス原子と金属原子を対象とした.ガス原子としてはアルゴン(Ar)を用い,装置中心に設置したヘリカルアンテナに高周波(13.56MHz)電力供給し誘導結合プラズマを生成することで,Siクラスターに作用させた.一方,金属原子としてはタングステン(W)を用い,ヘリカルアンテナ上部に設置したWグリッドへの負バイアス印加によるスパッタ効果を利用して,W原子をSiクラスターへ作用させた.4.Arガスを導入せずにSiプラズマのみを用いて基板へ堆積した物質の質量分析を行ったところ,質量数が28の整数倍である純粋なSiクラスターの形成が確認された.5.Arガスを導入した場合には,純粋なSiクラスターに加えて,質量数が28の整数倍から高質量側に12だけシフトした物質が質量数300〜600の範囲で検出された.この質量スペクトルのシフトは,質量数が12,40,68,96のいずれかの物質がSiクラスターに作用したためと考えられる.Arガス圧力の増加によりシフト成分が検出され,ヘリウムやクリプトンなど他の希ガスを用いた場合には質量数がシフトした物質は検出されなかったことから,Ar(質量数40)がSiクラスターに作用した結果であると考えている.6.Arガスを導入して形成したSiクラスターの組成分析を行った結果,Ar成分の含有を示すスペクトルピークが検出され,この化学結合状態を解析することによって,自由空間中のArには見られないエネルギーの変化(ケミカルシフト)が観測された.これは純粋なSiクラスターが球殻構造を形成し,その中心部にAr原子を内包することで,Ar原子が周囲のSi原子から影響を受けるためと説明できる.以上の結果から,電子銃を利用したSiプラズマ中にArガスを導入しArプラズマを作用させることで,Ar原子内包Siフラーレンを形成できることが明らかとなった.7.Si-W混合クラスター形成実験を行ったところクラスター内にWの存在が確認された.金属内包Siフラーレン形成に向けて実験を継続して行っている.
1。直到2004年,使用高压力反应性等离子体发电机使用高压力的等离子体的高压反应性等离子体,诱导结合型结合型高频率放电(SI)纳米级(SI)物质(SI)物质(SI)物质(SI)物质(SI)物质(SI)物质(Si)物质(SI)物质(SI)使用六甲基Jishiloxan HMDSO,我一直在进行Filalene实验,但是HMDSO中的氧气和碳仍然是杂质的,因此我在2005年使用了电子枪试图生成SI等离子体,并进行了新的原子包含Si Fullerene,以形成新的原子包含产生Si血浆的等离子体是由电子枪中的电子电流控制的。提供给设备中安装的螺旋天线,并使用诱导的键血浆来对Si群集作用,通过在螺旋天线的顶部添加负偏置,以使用SPATTA效应。 Si群集。在纯Si集群中,从28个整数转移到高量的质量。可能是因为它在SI簇上作用,并且当使用其他稀有气体(例如氦气)时,未检测到质量的质量(质量为40)。 SI群集通过分析化学键,在自由空间中无法找到的能量变化(化学移位)。通过将AR原子纳入上述结果,AR原子会受到周围SI原子的影响。可以在群集中形成富勒烯。

项目成果

期刊论文数量(36)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Creation of Novel Structured Nanotubes Based on Plasma Technology
基于等离子体技术的新型结构纳米管的制备
T.Hirata: "Magnetron-Type Radio-Frequency Plasma Control Yielding Vertically Well-Aligned Carbon Nanotube Growth"Applied Physics Letters. 83・6. 1119-1121 (2003)
T. Hirata:“磁控管型射频等离子体控制产生垂直排列的碳纳米管生长”应用物理快报83・6(2003)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Investigation of Fullerenes and Carbon Nanotubes Based on Plasma Science
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使用高密度硅等离子体形成新型硅富勒烯化合物。
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畠山 力三其他文献

pn-Junction Embedded Carbon Nanotube Thin Film Solar Cells
pn结嵌入式碳纳米管薄膜太阳能电池
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    加藤 俊顕;畠山 力三;金子 俊郎;R. Hatakeyama
  • 通讯作者:
    R. Hatakeyama
プラズマCVDによる原子置換単層カーボンナノチューブの創製及び電気特性評価
等离子体CVD原子取代单壁碳纳米管的制备及电性能评价
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    加藤 俊顕;畠山 力三;金子 俊郎;R. Hatakeyama;K. Murakoshi;R. Hatakeyama;T. Kato;S. C. Cho;Y. Abiko;金子 俊郎;T. Kato;K. Murakoshi;文贊鎬;T. Kato;安彦 嘉浩;T. Kaneko;T. Kaneko;T. Kaneko;T. Kato;R. Hatakeyama;文贊鎬;畠山力三;文贊鎬;T. Kaneko;Y. Abiko;高橋祥平;T. Kato;T. Kato;K. Murakoshi;Y. Abiko;S. C. Cho;T. Kaneko;金子俊郎;村越幸史
  • 通讯作者:
    村越幸史
Characteristics of a Gaseous and Liquid Phases Combined RF Plasma in Atmospheric Pressure
大气压下气相和液相组合射频等离子体的特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2006
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    藤田和孝;橋本哲郎;張 偉;西山信行;馬 朝利;木村久道;井上明久;横山嘉彦;徳永仁夫;藤田和孝;松尾大輔;坂本有卯機;城田明典;Kazutaka Fujita;藤田和孝;吉田展之;徳永仁夫;Kazutaka Fujita;藤田和孝;松村 隆;T. Kato;T. Kaneko;T. Kaneko;R. Hatakeyama;Y.F. Li;J. Shishido;Y.F. Li;Y. F. Li;T. Kaneko;T. Kaneko;K. Takahashi;R. Ichiki;Y. F. Li;K. Baba;W. Oohara;Y. F. Li;T. Kaneko;W. Oohara;平田 孝道;K. Takahashi;G. Sato;T. Kaneko;R. Hatakeyama;S.H. Kim;畠山力三;T. Hirata;K. Takahashi;T.Kaneko;T.Okada;K.Baba;T.Okada;K.Baba;K.Baba;T.Okada;K.Baba;H.Yoshiki;T.Okada;畠山 力三;R.Hatakeyama;K.Hirai;T.Okada;T.Okada;K.Hirai
  • 通讯作者:
    K.Hirai
Growth of single-walled carbon nanotubes using different catalysts with plasma and thermal CVD
使用不同催化剂通过等离子体和热 CVD 生长单壁碳纳米管
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Terashima;et. al.;T. Kato;T. Kato;T. Kato;J. Shishido;R. Hatakeyama;T. Shimizu;T. Kato;Y.-F. Li;Y.-F. Li;J. Shishido;Toshiaki Kato;畠山 力三;森尾 哲治;森尾 哲治;宍戸 淳;Yongfeng Li;Toshiaki Kato;Toshiaki Kato;加藤 俊顕;加藤 俊顕;Rikizo Hatakeyama;Rikizo Hatakeyama;畠山 力三;Genta Sato;森尾 哲治;宍戸 淳;宍戸 淳;Yongfeng Li;Yongfeng Li;Yongfeng Li;Yongfeng Li;Yongfeng Li;Yongfeng Li;Yongfeng Li;李 永峰;Toshiaki Kato;Toshiaki Kato;Toshiaki Kato;Toshiaki Kato;Tetsuharu Morio;Y.F.Li;Y.F.Li;Y.F.Li;Toshiaki Kato;Toshiaki Kato;Toshiaki Kato;加藤 俊顕;加藤 俊顕;Toshiaki Kato;Genta Sato;畠山 力三;畠山 力三;Tetsuharu Morio;Tetsuharu Morio;森尾 哲治;李 永峰;Y.F.Li;Y.F.Li;Y.F.Li;Z. Gorannevis
  • 通讯作者:
    Z. Gorannevis
電子温度勾配モード飽和に起因するドリフト波モード変調に対する非線形結合の効果
电子温度梯度模式饱和非线性耦合对漂移波模式调制的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    加藤 俊顕;畠山 力三;金子 俊郎;R. Hatakeyama;K. Murakoshi;R. Hatakeyama;T. Kato;S. C. Cho;Y. Abiko;金子 俊郎;T. Kato;K. Murakoshi;文贊鎬
  • 通讯作者:
    文贊鎬

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Creation of Advanced Functional Nanodia-Graphene with Built-in NV Center by Controlling Plasma Processes
通过控制等离子体过程创建具有内置 NV 中心的先进功能纳米石墨烯
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    21K03520
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    2021
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    09F09236
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    18654100
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利用等离子体离子辐照法在双壁碳纳米管内部形成p-n结
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溶液系マイクロプラズマ反応場利用高次構造超分子創製の基盤確立
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    18030002
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    2006
  • 资助金额:
    $ 2.3万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
溶液中反応性マイクロプラズマ利用の新機能性超分子システム構築法の開発
溶液中反应性微等离子体开发新型功能性超分子体系构建方法
  • 批准号:
    16040202
  • 财政年份:
    2004
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
ペアナノ分子イオンプラズマ支援のC_<60>ダイマー形成新機構
成对纳米分子离子等离子体辅助C_<60>二聚体形成的新机制
  • 批准号:
    13480122
  • 财政年份:
    2001
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
非平衡反応性プラズマ制御によるC_<60>因子の高次構造クラスター形成
非平衡反应等离子体控制C_<60>因子高阶结构团簇形成
  • 批准号:
    12878072
  • 财政年份:
    2000
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
ペア高分子イオンプラズマの生成とその物性
成对聚合物离子等离子体的产生及其物理性质
  • 批准号:
    10878068
  • 财政年份:
    1998
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
高周波電磁界によるプラズマ形態の変化
高频电磁场导致等离子体形态的变化
  • 批准号:
    61580001
  • 财政年份:
    1986
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了