RIEによる微小3次元自由曲面形状の創成に関する研究

RIE创建微小三维自由曲面形状的研究

• 批准号: 12750101
• 负责人: 角田 陽
• 金额: $ 1.41万
• 依托单位: Tokyo Metropolitan University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2000 至 2001
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-12750101/
• 关键词: 反応性イオンエッチング; 自由曲面; 単結晶シリコン

RIE(反応性イオンエッチング)では,被加工材構成分子に対して,等方的な化学的エッチングと方向性のある物理的エッチングが同時に起きるので,その反応割合を制御することによって,3次元的な微小自由曲面の製作が可能となる.そこで,本研究では,RIEのエッチング条件と反応割合の関係を明確化し,RIEによる3次元的な微小自由曲面の製作技術を確立することを目的としている.具体的には,本年度は,被加工材の単結晶シリコンウエハについてのエッチング実験によって創成される3次元微小形状の詳細な観察と,励起気体分子のうち,物理的反応に寄与する分子と化学的反応に寄与する分子のそれぞれの組成と数量を質量分析手法によって解析した結果とを比較解析をおこない,物理的反応に寄与する分子と化学的反応に寄与する分子のそれぞれの組成の同定とその数量を解析し,それらと創成形状の関係を明らかにした.さらに,物理的エッチングと化学的エッチングの反応割合と創成形状の関係を明らかにし,3次元自由曲面の創成メカニズムの解明をはかった.

在RIE（反应性离子蚀刻）中，各向同性化学蚀刻和定向物理蚀刻同时进行分子进行处理，并且通过控制反应比，可以制造3D微型无空表面。因此，在这项研究中，目的是阐明RIE的蚀刻条件和反应比之间的关系，并建立一种使用RIE制造3D微无污染物表面的技术。具体来说，今年，我们将使用加工材料的单晶硅晶片进行蚀刻实验创建生产过程。我们对制造的3D微型型进行了详细的观察，并比较了对物理反应和分子的组成和数量进行的分析，这些分子的组成和数量使用质谱法对化学反应有助于化学反应的物理反应和分子进行了比较，并分析了对物理反应和分子的组成和分子的组成和量，从而有助于化学反应和分析相互作用和分析。此外，我们阐明了反应速率与物理蚀刻与化学蚀刻之间的形状之间的关系，并阐明了三维自由形式表面的创造机制。

项目成果

土井祐輔, 古川勇二, 諸貫信行, 角田陽: "規則形状面へのMBEによるナノテクスチャ面の創成〜円形穴を配置した(111)シリコン面におけるテクスチャ〜"2001年度精密工学会秋季大会学術講演論文集. (印刷中). (2001)

Yusuke Doi、Yuji Furukawa、Nobuyuki Moronuki、Yo Tsunoda：“通过 MBE 在规则形状的表面上创建纳米纹理表面 - 排列有圆形孔的 (111) 硅表面上的纹理 -”2001 年日本精密工程学会秋季会议集上的学术演讲论文（2001 年）。

土井祐輔, 古川勇二, 諸貫信行, 角田陽: "規則形状面へのMBEによるナノテクスチャ面の創成〜直線を配置した(111)シリコン面におけるテクスチャ〜"2002年度精密工学会春季大会学術講演論文集. (印刷中). (2002)

Yusuke Doi、Yuji Furukawa、Nobuyuki Moronuki、Yo Tsunoda：“通过 MBE 在规则形状的表面上创建纳米纹理表面 - 以直线排列的 (111) 硅表面上的纹理 -” 2002 年精密工程学会春季会议集上的学术演讲论文（正在出版）。