電圧印加エピタキシャル成長法による分子配向制御法の開発

开发利用电压外延生长法的分子取向控制方法

基本信息

批准号：
09750017
负责人：
林好一
金额：
$ 1.34万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1997
资助国家：
日本
起止时间：
1997 至 1998
项目状态：
已结题

项目摘要

優れた機能性を有する有機材料を作製するためには、目的とする分子の配向制御法の開発が必要である。平成9年度においては、KCl単結晶上に櫛形電極を作製し、電圧をかけながら銅フタロシアニン薄膜を成長させた場合、通常のエビタキシャル成長と異なる方向に配向することが、エネルギー分散型全反射X線回折法による測定で分かった。このことより、新規分子配向制御法の開発に対する指針を得た。一方。薄膜の分子配向制御と同様に高次構造の制御も機能性発現には重要な要素である。平成10年度は薄膜の高次構造評価のために、エネルギー分散型X線反射率測定計を新規に開発し、銅フタロシアニン薄膜の形成過程における高次構造の観測を行った。その結果、膜厚10nm付近における薄膜形態の変化が観測され、薄膜形成機構解明に向けた多くの有用な知見を得ることができた。これはエネルギー分散型全反射X線回折法により観測された分子配向変化の結果と一致する。また、白色X線を極低角で鏡面試料に照射した場合、全反射臨界エネルギーより僅かに高いエネルギーのX線が物質の極表面を伝搬するが、この表面伝搬X線の測定をエネルギー分散型X線反射率測定計を用いて測定した。試料にパラフィン薄膜を用いた場合、薄膜の側面から単色性の高い表面伝播X線が出射されることを発見した。表面伝搬X線のエネルギーは薄膜の密度、膜厚によって変化するため、正確にエネルギー分析することにより、薄膜の構造決定が可能と考えられる。

为了生产具有出色功能的有机材料，有必要开发一种控制所需分子方向的方法。在1997年，当在施加电压时生长梳子形电极并在KCL单晶上制造，并在施加电压时生长铜邻苯丙氨酸薄膜时，它是通过使用能量分散性总反射X射线衍射来确定的，当在A KCL单晶上构造了梳子形电极在AKCL单晶的差异上，它在差异化的方向上是差异化的。这为我们提供了有关一种新型分子取向控制方法发展的指导。另一方面。与薄膜的分子取向控制相似，对高阶结构的控制也是功能发展的重要因素。在1998年，我们开发了一种新的能量色散X射线反射率表，以评估薄膜的结构，并在形成铜邻苯二甲胺薄膜的过程中观察到更高的结构。结果，在厚度约10 nm的情况下观察到薄膜形态的变化，并获得了许多有用的知识，以阐明薄膜形成的机理。这与通过能量分散总反射X射线衍射观察到的分子取向变化的结果一致。此外，当白色X射线以极低的角度照射到镜面样品时，X射线的能量略高于材料表面上的临界总反射能传播的临界总反射能，并使用能量分散X射线反射仪测量表面传播X射线的测量。人们发现，当用石蜡薄膜用作样品时，从薄膜的侧面发出了高度单色的表面繁殖X射线。由于传播X射线的表面能量随薄膜的密度和厚度而变化，因此人们认为准确的能量分析将允许确定薄膜的结构。