光誘起トンネル電流による真実接触面の評価-二相分離系合金の表面偏析に伴う摩擦現象の解析-

使用光致隧道电流评估真实接触表面 - 与两相分离合金表面偏析相关的摩擦现象分析 -

基本信息

批准号：
10750106
负责人：
小竹茂夫
金额：
$ 1.28万
依托单位：
Mie University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1998
资助国家：
日本
起止时间：
1998 至 1999
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究は、レーザー光を半導体に照射する際に生じる光誘起電流(PIC)を用い、金属-半導体界面に生じる真実接触面の分布および、摩擦の原理的な研究を電子論の観点から行うものである。本研究は以下の4点からなる。それらは、(1)PICによる固体間界面の電流透過率の評価を行い、摩擦係数、その他の物理量との関係について考察を行うこと、(2)様々な金属についての、半導体界面に生じる真実接触面の分布を測定すること、(3)光学解析(分光偏光解析装置)により、2相分離系合金の表面偏析について解析を行うこと、(4)摩擦や摩耗について、接触界面での電子やモル流束の観点から基礎理論を導出すること、である。以下に、それぞれの研究の概要をまとめる。「PICによる固体間界面の電流透過率の評価」では、荷重の増加に対して比例するPICの積分値およびレーザーの強度による半導体界面の励起電子数の見積もりの比(平均界面電流透過率:γ)から、固体間界面の電流透過率の評価を行った。種々の材料について単位圧力当たりのγの増加率(平均界面電流透過係数:β)を測定したところ、βは弾性定数の逆数(1/C_<11>)に、近いオーダーの値を示すことが分かった。現在のところ、弾性定数と摩擦係数(μ)の関係からこの理由を考察しているが、良い結果は得られていない。「真実接触面の分布を測定」については、Cu,Ni,Inについて、真実接触面の分布を測定した。真実接触面積は、塑性流動圧力(pm)に反比例し、分布も、Inについては、中央部に真実接触分布が見られたのに対し、Cu,Niでは、試料周辺部に分布が存在した。「分光偏光解析装置による2相分離系合金の表面偏析の解析」では、分光偏光解析装置を作製し、Al-Pb系多層膜の表面偏析による光学定数の変化について解析を行った。蒸着により作成した多層膜よりも単層膜の方が、より偏析の効果が大きいことが分かった。これは、Pb粒子の微細化により、拡散圧が減少したためと考えられた。「流速方程式による摩擦・摩耗の基礎理論」については、非平衡熱力学によるモル流速から導いた核生成理論を応用し、固体間の接触界面における最低摩耗粉の臨界半径について、理論を構築し、材料による摩耗の違いを熱力学的に理解する手法を与えた。

这项研究使用光引起的电流（PIC），该电流（PIC）是在将激光照射到半导体的情况下，并从电子视图中进行真实的接触表面的分布。这项研究包括以下四个点。他们通过（1）评估固体磁场之间的当前透射率，并考虑摩擦系数和其他物理量之间的关系，以及（2）在各种金属的半导体区域中的真相接触，（3）。通过光学分析（光最大化分析设备）对两个相分离合金的表面偏置分析，（4）摩擦和磨损，触点界面中的电子和摩尔数。。每项研究的摘要在下面总结。在“通过PIC评估当前的可互换表面上的当前透射率”，PIC的积分值与负载的增加成正比，并且由于激光的强度而引起的半导体场的估计报价（平均表面表面渗透率：γ：γ）评估了固体表面的当前透射率。当测量各种材料的γ增加单位压力速率（平均表面流动透明系数：β）时，β显示了几乎有序的阶数（1/c_ <11>）。目前，我们从弹性常数和摩擦系数（μ）之间的关系中考虑了这一原因，但尚未获得良好的结果。至于“真实接触表面分布的测量”，测量了Cu，Ni，In的真实接触表面的分布。真相接触区域与塑料流动压力（PM）成反比，并且分布位于中心部分的中心部分，而Cu和Ni则分布在样品周围。在“通过光谱极化分析设备对表面偏置分析中两相相分离合金的分析”中，制备了光谱极化分析设备，并分析了由于Al-PB的表面偏置分析而分析了光学常数的变化多层电影。事实证明，与Vapor制作的多层胶片相比，单层膜具有更大的BI层次效果。人们认为这是由于Pb颗粒的微型化，从而降低了扩散压力。关于“流速方程式的摩擦和磨损基本理论”，通过应用由于非平衡热力学而引起的摩尔流速速度引起的核产量理论，构建了对接触中最小磨损粉末的需求理论。一种热仪理解磨损差异的方法，具体取决于材料。