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高信頼性有機半導体デバイス実現に向けた非接触・in-situ二次元評価法の確立
建立非接触/原位二维评估方法以实现高可靠性有机半导体器件
基本信息
- 批准号：23K13667
- 负责人：
- 金额：$ 3万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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会议论文数量（0）
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今林 弘毅其他文献
AlN/エピタキシャルグラフェン/SiC構造形成におけるAlN膜厚及びステップ高さの影響
AlN薄膜厚度和台阶高度对AlN/外延石墨烯/SiC结构形成的影响
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- 发表时间：
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- 影响因子：0
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- DOI：
- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
塩島 謙次;川角 優斗;堀切 文正;福原 昇;三島 友義;四戸 孝;今林 弘毅 - 通讯作者：
今林 弘毅
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- 作者：
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