Development and understanding of vertical Ge/TMDC TFET
垂直Ge/TMDC TFET的开发和理解
基本信息
- 批准号：23K13361
- 负责人：
- 金额：$ 3万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-01 至 2025-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
柯 夢南其他文献
走査ゲート顕微法を用いた遷移金属ダイカルコゲナイドヘテロ接合における輸送特性の評価
使用扫描门显微镜评估过渡金属二硫属化物异质结的传输特性
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
酒井 歩峻,渡邊 賢治;谷口 尚;柯 夢南;青木 伸之 - 通讯作者：
青木 伸之
柯 夢南的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
相似国自然基金
基于低浓度H2检测的微波界面调控制备MXene-MO-MOS复合材料及其气敏机理研究
- 批准号：52304400
- 批准年份：2023
- 资助金额：30 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
自旋极化电子视角下MoS2/C电极磁化强度与界面快速储锂之间的构效关系
- 批准号：22309076
- 批准年份：2023
- 资助金额：30 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
异质界面处金属相MoS2相变对MoS2基薄膜材料电催化性能的作用机制
- 批准号：52301090
- 批准年份：2023
- 资助金额：30 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
Er2O3/AlN/GaSb叠层栅界面失稳调控及其MOS器件性能优化研究
- 批准号：
- 批准年份：2022
- 资助金额：30 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
用于光电忆阻的铁电栅基MoS2晶体管界面优化与仿生突触研究
- 批准号：
- 批准年份：2022
- 资助金额：30 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
相似海外基金
Development of lightly-tilted crystal face trench MOS channels toward the realization of ultra-low resistance GaN power devices
开发微倾斜晶面沟槽MOS沟道以实现超低电阻GaN功率器件
- 批准号：
22K14294 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
界面制御による窒化ガリウムパワートランジスタの高性能化
通过接口控制提高氮化镓功率晶体管的性能
- 批准号：
20K04587 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Study of slow trap characteristics and reduction methods of its density in Ge MOS interfaces for future devices.
未来器件Ge MOS界面慢陷阱特性及其密度降低方法研究。
- 批准号：
20K14779 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
SiC MOSFETの高移動度動作を可能にする革新的な酸化膜の低温形成技術の開発
开发出可实现SiC MOSFET高迁移率运行的创新低温氧化膜形成技术
- 批准号：
20J15538 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Development of low temperature Ge atomic layer etching for 3D integration
开发用于 3D 集成的低温 Ge 原子层蚀刻
- 批准号：
19K15053 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists