フォトレジスト薄膜中における化学組成分布がパターン線幅粗さに与える影響の解明

阐明光刻胶薄膜中化学成分分布对图案线宽粗糙度的影响

基本信息

批准号：
21K14212
负责人：
山川進二
金额：
$ 2.91万
依托单位：
University of Hyogo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2021
资助国家：
日本
起止时间：
2021-04-01 至 2024-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究では、レジスト中の組成材の空間分布が線幅のバラツキ具合に与える影響を評価するために、レジスト合成、基板上に塗布したレジスト薄膜中の化学組成分布評価および、パタニング後のLWR評価を行う。2022年度は以下の2点に重点を置いて研究を進めた。・軟X線散乱測定によるレジスト薄膜中の化学組成の空間分布評価（継続）：レジスト中の組成の空間分布評価について、軟X線共鳴散乱測定を継続して実施した。これにより軟X線を照射したサンプルからの散乱強度の強弱によって、材料中の凝集といった散乱源の多少を比較できる。シリコン基板上に塗布したレジストサンプルについて検討した。レジストは極性の異なる一般的なレジストに加え、本研究過程で合成した感光剤（PAG）ユニットをポリマー中に有するレジストを用いた。その結果、比較的低極性なレジストは極性の高いレジストに比べて散乱光の強度が低いことがわかった。これは散乱源が少ないことを意味し、材料中の化学組成の凝集が少ないことを意味する。また極性の高いレジストに比較的極性の低いPAGを添加、あるいはポリマー中に導入することで、その散乱光強度が低下することも明らかとなった。これらの結果から、レジストの全体的な極性（あるいは極性の差）を小さくすることが、レジスト薄膜中の凝集抑制に効果的だと考えられる。・EUV干渉露光装置のアップグレード：レジストのパタニング後のLWR評価のために、EUV干渉露光装置のアップグレードを実施した。パタニングにはEUV光の露光条件を多数検討する必要があるが、従来セットアップでは15ショット/枚程度の露光を手動でしかできなかったためである。アップグレードにより3倍以上の48ショット/枚を自動露光できるようになり、実験効率が大幅に向上した。

在这项研究中，为了评估组合物材料对线宽度变化的空间分布的影响，在覆盖在底物上的薄膜中的抗薄膜中的化学成分分布以及在图案后进行了LWR评估的影响。在2022财年中，我们重点介绍了以下两个点： - 通过软X射线散射测量值评估抵抗薄膜中化学成分的空间分布：持续进行软X射线散射测量测量值：连续评估抗药候中组成的空间分布的空间分布。这允许比较散射源，例如材料中的聚集，这取决于用软X射线辐照样品的散射强度的强度。检查了在硅底物上覆盖的抗性样品。除了一般的抵抗力不同，除了不同的极性外，还使用了抗拒的，其中包含在聚合物中此研究过程中合成的光敏剂（PAG）单位。结果，发现相对较低的极性抗性的散射光强度比高度极性抗性较低。这意味着材料中化学成分的散射来源较少，而较少的聚集。还可以揭示出，当极性相对较低的PAG被添加到高极性抗性或将其引入聚合物中时，散射的光强度会降低。基于这些结果，据信降低抗药性的总体极性（或极性差异）可有效抑制抵抗薄膜中的聚集。 -EUV干扰曝光装置升级：EUV干扰曝光装置在抵抗图案后进行LWR评估。模式需要大量的EUV光照条件，但在过去，每张纸的暴露仅可能是手动的。升级现在使每张照片48张照片的自动暴露超过三倍，从而显着提高了实验效率。