Simplification of device fabrication process for nanomaterial application and enhancement of semiconductor gas sensor properties
简化纳米材料应用器件制造工艺并增强半导体气体传感器性能
基本信息
- 批准号:16K13637
- 负责人:
- 金额:$ 2.33万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份:2016
- 资助国家:日本
- 起止时间:2016-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(15)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Diverse Adsorption/Desorption Abilities Originating from the Nanostructural Morphology of VOC Gas Sensing Devices Based on Molybdenum Trioxide Nanorod Arrays
- DOI:10.1002/admi.201600252
- 发表时间:2016-07
- 期刊:
- 影响因子:5.4
- 作者:Shuren Cong;T. Sugahara;Tingting Wei;J. Jiu;Y. Hirose;S. Nagao;K. Suganuma
- 通讯作者:Shuren Cong;T. Sugahara;Tingting Wei;J. Jiu;Y. Hirose;S. Nagao;K. Suganuma
Gas Sensor Property of MoO3 Nanorod Arrays synthesized by Metal Organic Decomposition Method
金属有机分解法合成MoO3纳米棒阵列的气敏性能
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. sugahara;S. Cong;K. Suganuma
- 通讯作者:K. Suganuma
Amorphous Oxide Semiconductor Thin Film with an Energy-Efficient Beneficial Coating Process for OPV
用于 OPV 的非晶氧化物半导体薄膜及节能有益涂层工艺
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Sugahara;S. Cong;M. Karakawa and K. Suganuma
- 通讯作者:M. Karakawa and K. Suganuma
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Tohru Sugahara其他文献
Wearable Resistance Type Strain Sensor Based on Long Silver Nanowires Synthesized by One Step Polyol Method
基于一步多元醇法合成长银纳米线的耐磨电阻式应变传感器
- DOI:
- 发表时间:
2015 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Teppei Araki;Katsunari Sato;Tohru Sugahara;Jinting Jiu;Tsuyoshi Sekitani;Katsuaki Suganuma - 通讯作者:
Katsuaki Suganuma
Sol-Gel-Derived Amorphous Semiconductor TFT Fabrication and its Performance
溶胶-凝胶法非晶半导体 TFT 的制备及其性能
- DOI:
- 发表时间:
2015 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Tohru Sugahara;Takuro Matsuo;Yukiko Hirose;Jinting Jiu;Shijo Nagao;and Katsuaki Suganuma - 通讯作者:
and Katsuaki Suganuma
Thermal stress driven Sn whisker growth: in air and in vacuum
热应力驱动锡晶须生长:在空气和真空中
- DOI:
10.1007/s10854-013-1336-6 - 发表时间:
2013 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Jung-Lae Jo;Shijo Nagao;Tohru Sugahara;Masanobu Tsujimoto;Katsuaki Suganuma - 通讯作者:
Katsuaki Suganuma
La doped effects on structure and thermoelectric properties of Sr2MnMoO6 double-perovskite oxides
La掺杂对Sr2MnMoO6双钙钛矿氧化物结构和热电性能的影响
- DOI:
10.1016/j.jascer.2013.06.006 - 发表时间:
2013 - 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:
Tohru Sugahara;Michitaka Ohtaki;Katsuaki Suganuma - 通讯作者:
Katsuaki Suganuma
Starrydataにおける熱電材料の大規模実験データ収集とMaterials Informatics
Starrydata热电材料和材料信息学大规模实验数据收集
- DOI:
- 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Yukari Katsura;Yuki Inada;Masaya Kumagai;Tomoya Mato;Yu Takada;Takamichi Sushida;Masakazu Akiyama;Haruhiko Morito;Masaya Fujioka;Tohru Sugahara;桂ゆかり - 通讯作者:
桂ゆかり
Tohru Sugahara的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
相似海外基金
Fabrication of quantum-dot-dispersed semiconductor films by the single process using mist CVD
使用雾气CVD单一工艺制造量子点分散半导体薄膜
- 批准号:
21K04154 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 2.33万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Oxide semiconductor film growth by combined pulsed laser deposition
组合脉冲激光沉积法生长氧化物半导体薄膜
- 批准号:
21K03523 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 2.33万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
酸化物半導体センサの超薄膜化による機能向上
通过使氧化物半导体传感器超薄来提高功能
- 批准号:
21K04647 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 2.33万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Functional control of plasmons and phnons at nanoparticle interfaces on oxide semiconductor for thermal management
用于热管理的氧化物半导体纳米颗粒界面处的等离子体激元和声子的功能控制
- 批准号:
21H01360 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 2.33万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Sensing Mechanism of Graphene-Assist Oxide Gas Sensor and Fabrication of Mixed Gas Sensor
石墨烯辅助氧化物气体传感器的传感机制及混合气体传感器的制作
- 批准号:
21H01638 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 2.33万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)