刷新
Development of multi-level PCRAM showing four-resistance-level
开发显示四电阻级的多级PCRAM
基本信息
- 批准号：15K14104
- 负责人：
- 金额：$ 2.41万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（5）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Feasibility study of multi-level PCRAM with multiple phase change layers
多相变层多层PCRAM的可行性研究
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Sutou;Y. Saito;S. Shindo;J. Koike;J.M. Lee;Y.H. Song
- 通讯作者：Y.H. Song
Investigation of an erasing method for synaptic behavior in a phase change device using Ge1Cu2Te3 (GCT)
使用 Ge1Cu2Te3 (GCT) 研究相变器件中突触行为的擦除方法
- DOI：10.1049/el.2016.2211
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：1.1
- 作者：J.S. An;C.M. Choi;S. Shindo;Y. Sutou;H.S. Jeong;Y.H. Song
- 通讯作者：Y.H. Song
Ge-Cu-Te phase change material for PCRAM application
用于 PCRAM 应用的 Ge-Cu-Te 相变材料
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Sutou;Y. Saito;S. Shindo;J. Koike
- 通讯作者：J. Koike
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
SUTOU YUJI其他文献
SUTOU YUJI的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
相似海外基金
Development of d-electron based phase change chalcogenide for next generation non-volatile memory
用于下一代非易失性存储器的基于 d 电子的相变硫属化物的开发
- 批准号：
18H02053 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 2.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Ｃｒ－Ｇｅ－Ｔｅ系層状物質の高速相変化機構の解明及び不揮発性メモリへの応用
阐明Cr-Ge-Te层状材料的快速相变机制及其在非易失性存储器中的应用
- 批准号：
17J02967 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 2.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
A study of contact resistance between phase change material and electrode for next generation PCRAM
下一代PCRAM相变材料与电极接触电阻研究
- 批准号：
15H04113 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Fast phase change speed induced by surface oxidation of phase change material
相变材料表面氧化引起的快速相变速度
- 批准号：
25630289 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 2.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Fast and reliable multilevel phase-change memory for practical application
快速可靠的多级相变存储器，适合实际应用
- 批准号：
24686042 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 2.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)