Realization of high quality one-dimensional wire using InSb quantum wells and exploration of Majorana fermions

利用InSb量子阱实现高质量一维线和马约拉纳费米子的探索

基本信息

  • 批准号:
    15K13274
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.5万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2015
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2015-04-01 至 2017-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(7)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Magnetotransport in narrow gap semiconductor InSb Quantum Wells
窄带隙半导体 InSb 量子阱中的磁输运
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Masaki Tada;Haruki Kiyama;Kouichi Akahane;and Akira Oiwa
  • 通讯作者:
    and Akira Oiwa
国立研究開発法人 情報通信研究機構 ネットワークシステム研究所・ネットワーク基盤研究室
国立信息通信研究所网络系统研究所/网络基础设施实验室
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
大阪大学産業科学研究所量子システム創成研究分野大岩研究室
大阪大学科学产业研究所大岩实验室
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
大岩研究室
大岩研究所
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
InSb低次元系における電気伝導
InSb 低维系统中的导电
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    多田誠樹;大岩顕;木山治樹;赤羽浩一
  • 通讯作者:
    赤羽浩一
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Oiwa Akira其他文献

「『無外題[公事]』―『北山抄』羽林要抄―」
“‘Mugaidai [Koji]’-‘Kitayamasho’Urin Yosho-”
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  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Fukai Rio;Sakai Yuji;Nakagawa Tomohiro;Fujita Takafumi;Kiyama Haruki;Ludwig Arne;Wieck Andreas D.;Oiwa Akira
  • 通讯作者:
    Oiwa Akira
横型量子ドット上の表面プラズモンアンテナの設計と特性評価
水平量子点表面等离子体天线的设计与表征
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Fukai Rio;Sakai Yuji;Nakagawa Tomohiro;Fujita Takafumi;Kiyama Haruki;Ludwig Arne;Wieck Andreas D.;Oiwa Akira;深井利央, 酒井裕司,  藤田高史,木山治樹, Arne Ludwig, Andreas Dirk Wieck,大岩顕
  • 通讯作者:
    深井利央, 酒井裕司,  藤田高史,木山治樹, Arne Ludwig, Andreas Dirk Wieck,大岩顕
書評 佐藤淳平『近代中国財政史-「外省」から「地方」へ』
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Fukai Rio;Sakai Yuji;Nakagawa Tomohiro;Fujita Takafumi;Kiyama Haruki;Ludwig Arne;Wieck Andreas D.;Oiwa Akira;櫻井香里;村上衛
  • 通讯作者:
    村上衛

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    2023
  • 资助金额:
    $ 2.5万
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    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Direct growth of ternary or higher arsenide-based semiconductors on Si(001) epitaxial substrates
在 Si(001) 外延衬底上直接生长三元或更高砷化物基半导体
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    23K04598
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    2023
  • 资助金额:
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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    2023
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    23H01441
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    2023
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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电子束照射形成量子点及其在黄色半导体激光器中的应用
  • 批准号:
    23H01455
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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