Development of highly efficient and high precision figuring and finishing technique applying anodic oxidation for mold material made of SiC

开发SiC模具材料阳极氧化高效高精度成形加工技术

• 批准号: 25630026
• 负责人: YAMAMURA Kazuya
• 金额: $ 2.58万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2013-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-25630026/
• 关键词: 陽極酸化; 反応焼結SiC; 金型材料; 形状修正; 数値制御加工; 金型; SiC; 研磨; 非球面

项目成果

陽極酸化援用研磨法の単結晶4H-SiC基板への適用に関する検討

阳极氧化辅助抛光方法在单晶4H-SiC衬底上的应用研究

• 作者: 今西勇介;下園直樹;遠藤勝義;山村和也;澤江義則;細谷憲治
• 通讯作者: 細谷憲治

Preliminary study on highly efficient polishing of 4H-SiC utilizing anodic oxidation

阳极氧化高效抛光4H-SiC的初步研究

• 发表时间: 2014
• 作者: K. Yamamura;K. Hosoya;Y. Imanishi;H. Deng;K. Endo
• 通讯作者: K. Endo

反応焼結SiC材の陽極酸化援用研磨法における加工状態の電気化学的モニタリングに関する検討

反应烧结SiC材料阳极氧化辅助抛光工艺条件的电化学监测研究

• 发表时间: 2014
• 作者: 今西勇介;下園直樹;遠藤勝義;山村和也
• 通讯作者: 山村和也

Investigation of the anodic oxide layer/SiC interface morphology during anodic oxidation assisted polishing

阳极氧化辅助抛光过程中阳极氧化层/SiC界面形貌的研究

• 发表时间: 2014
• 作者: K. Hosoya;Y. Imanishi;K. Endo;K. Yamamura
• 通讯作者: K. Yamamura

陽極酸化援用研磨による4H-SiCの平滑化に関する研究 －セリアスラリーを電解液とした場合の研磨特性－

阳极氧化辅助抛光4H-SiC平滑化研究-以二氧化铈浆料为电解质时的抛光特性-

• 发表时间: 2014
• 作者: 細谷憲治;今西勇介;遠藤勝義;山村和也
• 通讯作者: 山村和也