Research on single-atom inelastic tunneling spectroscopy and atomic scale energy transfer

单原子非弹性隧道光谱与原子尺度能量转移研究

基本信息

  • 批准号：
    25600015
  • 负责人：
    ONO Yukinori
  • 金额：
    $ 2.58万
  • 依托单位：
    University of Toyama
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份：
    2013
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2013-04-01 至 2015-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（12）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
Single dopant physics and electronics
单掺杂物理和电子学
  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    M. Hori;H. Tanaka;A. Fujiwara;Y. Ono;Y. Ono
  • 通讯作者：
    Y. Ono
ESR study on pure single crystalline sapphire
纯单晶蓝宝石的ESR研究
  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    M. Hori;N. Fukumoto;Y. Ono;R. Chikaoka;Y. Hayakawa;S. Moriwaki;N. Mio
  • 通讯作者：
    N. Mio
Electron spin resonance study on pure single crystalline sapphire
纯单晶蓝宝石的电子自旋共振研究
  • DOI：
    10.1002/pssc.201300321
  • 发表时间：
    2013
  • 期刊：
    Phys. Status Solidi C
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    M. Hori;N. Fukumoto;Y. Ono;R. Chikaoka;S. Moriwaki;N. Mio
  • 通讯作者：
    N. Mio
Electron pump by a single atom　-Towards ultimate control of electronic charges-
单原子电子泵 -实现电子电荷的最终控制-
  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Y. Ono;G. P. Lansbergen;M. Hori;A. Fujiwara
  • 通讯作者：
    A. Fujiwara
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Silicon Single-Dopant Electronics
硅单掺杂电子器件
  • 批准号：
    20241036
  • 财政年份：
    2008
  • 资助金额：
    $ 2.58万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Control of single electrons using bonor levels in silicon
使用硅中的硼能级控制单电子
  • 批准号：
    16206038
  • 财政年份：
    2004
  • 资助金额：
    $ 2.58万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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