Superconductivity of heavily boron-doped nanodiamond films prepared by physical vapor deposition

物理气相沉积重硼掺杂纳米金刚石薄膜的超导性

基本信息

  • 批准号：
    24656389
  • 负责人：
    YOSHITAKE Tsuyoshi
  • 金额：
    $ 2.58万
  • 依托单位：
    Kyushu University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份：
    2012
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2012-04-01 至 2015-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（40）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Heterojunction Diodes Comprising Nitrogen-doped Ultrananocrystalline Dia-mond Films Prepared by Coaxial Arc Plasma Deposition and p-Type Silicon Substrates
同轴电弧等离子体沉积氮掺杂超纳米晶金刚石薄膜和p型硅衬底的异质结二极管
  • DOI：
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
    Proceedings of International Forum for Green Asia
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Mari Hayashi;Sｈintaro Yasui;Hiroshi Funakubo;and Hiroshi Uchida;Hiroki Gima and Tsuyoshi Yoshitake
  • 通讯作者：
    Hiroki Gima and Tsuyoshi Yoshitake
同軸型アークプラズマ堆積法により作製されたホウ素ドープ超ナノ微結晶ダイヤモンド混相膜の電気特性と化学結合構造
同轴电弧等离子体沉积法制备掺硼超纳米微晶金刚石混相薄膜的电学性能及化学键结构
  • DOI：
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Hiroki Gima;Sausan Al-Riyami;Mahmoud Shaban;and Tsuyoshi Yoshitake;吉田智博，花田賢志，冨永亜希，隅谷和嗣，瀬戸山寛之，吉武剛;儀間弘樹，Abdelrahman M. A.，吉武剛，冨永亜希，瀬戸山寛之，隅谷和嗣，平井康晴;片宗優貴，大曲新矢，瀬戸山寛之，吉武剛
  • 通讯作者：
    片宗優貴，大曲新矢，瀬戸山寛之，吉武剛
Photovoltaic Characteristics of Heterojunction Diode Comprising Boron-Doped Ultrananocrystalline Diamond/Hydrogenated Amorphous Carbon Composite Film and n-Type Silicon
掺硼超纳米晶金刚石/氢化非晶碳复合膜与n型硅异质结二极管的光伏特性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2013
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Takanori Hanada;Shinya Ohmagari;and Tsuyoshi Yoshitake;Yuki Katamune and Tsuyoshi Yoshitake
  • 通讯作者：
    Yuki Katamune and Tsuyoshi Yoshitake
物理気相成長法による超ナノ微結晶ダイヤモンド/アモルファスカーボン混相膜の作製とその半導体材料としての応用の検討
物理气相沉积法制备超纳米微晶金刚石/非晶碳混相薄膜及其半导体材料应用研究
  • DOI：
  • 发表时间：
    2012
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Y. Katamune;S. Ohmagari;H. Setoyama;K. Sumitani;Y. Hirai;and T. Yoshitake;片宗 優貴，大曲 新矢，吉武 剛;吉武 剛
  • 通讯作者：
    吉武 剛
Carrier transport and photodetection in heterojunction photodiodes comprising n-type silicon and p-type ultrananocrystalline diamond/hydrogenated amorphous carbon composite films
  • DOI：
    10.7567/jjap.53.050307
  • 发表时间：
    2014-04
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    S. Ohmagari;T. Hanada;Y. Katamune;S. Al-Riyami;T. Yoshitake
  • 通讯作者：
    S. Ohmagari;T. Hanada;Y. Katamune;S. Al-Riyami;T. Yoshitake
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    Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)

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    2024
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    $ 2.58万
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