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Preparation of new coherent tunnel barriers for permalloy by modifying oxidation procedures
通过修改氧化程序制备坡莫合金的新型相干隧道屏障
基本信息
- 批准号：24656024
- 负责人：
- 金额：$ 2.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2014-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Ferromagnetic tunnel junctions (MTJs) are the major device in spintronics, which are used for read heads of hard disk drives (HDDs) and magnetic random access memories (MRAMs). The coherent tunnel effect is of particular importance in enhancing the performance of MTJs, but the electrode and barrier materials usable for the coherent tunneling have been limited. In this study, for the first time we have successfully developed crystalline MgAlO and AlO barriers that are grown epitaxially on NiFe(111). It is expected that the new barriers brings about the coherent tunnel effect and resulting high magnetoresistance for MTJ structures with the unconventional crystallographic orientation.
铁磁隧道连接（MTJ）是Spintronics的主要装置，用于硬盘驱动器（HDDS）和磁随机访问记忆（MRAM）的读取头。相干隧道效应在增强MTJ的性能方面尤其重要，但是可用于相干隧道的电极和屏障材料受到限制。在这项研究中，我们首次成功地开发了在Nife上外上期生长的晶体MGALO和ALO屏障（111）。预计新障碍会带来连贯的隧道效应，并带来非常规晶体学取向的MTJ结构的高磁磁性。
项目成果
期刊论文数量（9）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Interface perpendicular magnetic anisotropy in magnetic tunnel junctions
磁隧道结中的界面垂直磁各向异性
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Tetsuo Asakura;Haruka Shimokawatoko;Shusei Iwamoto;瀧宮 和男;S. Mitani et al.
- 通讯作者：S. Mitani et al.
Plasma-assisted crystallization of tunnel barriers , A new route for fabricating epitaxial magnetic tunnel junctions
隧道势垒的等离子体辅助结晶,制造外延磁隧道结的新途径
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Mitani;J.W. Koo and H. Sukegawa
- 通讯作者：J.W. Koo and H. Sukegawa
Plasma-assisted crystallization of tunnel barriers: A new route for fabricating epitaxial magnetic tunnel junctions
隧道势垒的等离子体辅助结晶：制造外延磁隧道结的新途径
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Mitani;J.W. Koo and H. Sukegawa
- 通讯作者：J.W. Koo and H. Sukegawa
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$ 2.58万 - 项目类别：
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$ 2.58万 - 项目类别：
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