Generation of the semiconductor two-dimensional plasmonic boom and its application to terahertz devices

半导体二维等离子体激元繁荣的产生及其在太赫兹器件中的应用

基本信息

批准号：
16K14243
负责人：
OTSUJI TAIICHI
金额：
$ 2.33万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2018-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（45）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Otsuji Laboratory

大辻实验室

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

Terahertz light emission and lasing in graphene-based vdW 2D heterostructures

基于石墨烯的 vdW 2D 异质结构中的太赫兹光发射和激光

DOI：
10.4172/2324-8777-c2-023
发表时间：
2018
期刊：
Journal of Nanomaterials & Molecular Nanotechnology
影响因子：
0
作者：
S. Boubanga-Tombet;D. Yadav;W. Knap. V.V. Papov;and T. Otsuji;藤井孝太郎，村上泰斗，八島正知，萩原雅人，鳥居周輝，齊藤高志，神山崇，池田一貴，大友季哉，大原高志;八島正知，辻口峰史，作田祐一，安井雄太，藤井孝太郎，村上泰斗，柴田稔也，鳥居周輝，神山崇，Zhou Yu，Skinner Stephen J.;T. Otsuji
通讯作者：
T. Otsuji

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作者：
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