Oscillatory structure with a frequency of THz range using ferroelectric polarization and the enhancement by electric field
利用铁电极化和电场增强的太赫兹频率振荡结构
基本信息
- 批准号：16K14235
- 负责人：
- 金额：$ 2.33万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（62）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Low temperature formation of highly resistive ZnO films using nonequilibrium N2/O2 plasma generated near atmospheric pressure
利用近大气压产生的非平衡 N2/O2 等离子体低温形成高阻 ZnO 薄膜
- DOI：10.1016/j.tsf.2016.09.009
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：2.1
- 作者：Yukinori Nose;Takeshi Yoshimura;Atsushi Ashida;Tsuyoshi Uehara;Norifumi Fujimura
- 通讯作者：Norifumi Fujimura
(111)SrTiO3基板上への(Ba,La)SnO3薄膜の結晶成長 Fabrication of (Ba,La )SnO3 films on (111 )SrTiO3 substrate
(111)SrTiO3 基底上 (Ba,La)SnO3 薄膜的制备
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Ryo Kashimoto;Takeshi Yoshimura;Atsushi Ashida;Norifumi Fujimura;三浦 光平，樫本 涼，吉村 武，芦田 淳，藤村 紀文
- 通讯作者：三浦 光平，樫本 涼，吉村 武，芦田 淳，藤村 紀文
The growth of ASnO3 (A = Sr, Ba) epitaxial films by rf magnetron sputtering and the electrical properties
射频磁控溅射ASnO3（A=Sr、Ba）外延薄膜的生长及其电性能
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：I.Kanagawa;T.Yoshimura;and N.Fujimura
- 通讯作者：and N.Fujimura
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Norifumi Fujimura其他文献
Anomalies at Neel Temperature in YMnO3 epitaxial films
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Norifumi Fujimura
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- 影响因子：0
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- DOI：
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- 影响因子：0
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高橋康史
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