高感度電子スピン共鳴法の開発とこれを用いたナノMOSトランジスタのRTN欠陥解析
开发高灵敏度电子自旋共振方法并利用该方法分析nanoMOS晶体管中的RTN缺陷
基本信息
- 批准号：24K00942
- 负责人：
- 金额：$ 11.48万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2024
- 资助国家：日本
- 起止时间：2024-04-01 至 2027-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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- 影响因子：0
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Tomohiro Amemiya
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