低融点金属液相を反応場とした半導体気相成長プロセスの開拓
以低熔点金属液相为反应场的半导体气相生长工艺的开发
基本信息
- 批准号:23K26432
- 负责人:
- 金额:$ 8.74万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2024
- 资助国家:日本
- 起止时间:2024-02-28 至 2026-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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