ナノ界面制御による常温接合基盤技術の創出

通过纳米界面控制创建基本室温键合技术

基本信息

  • 批准号:
    23K26154
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 7.16万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2024
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2024-02-28 至 2026-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

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日暮 栄治其他文献

β-Ga2O3薄膜とダイヤモンド基板の低温直接接合
β-Ga2O3薄膜与金刚石基体的低温直接键合
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  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
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  • 通讯作者:
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  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
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  • 通讯作者:
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  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
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  • 通讯作者:
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  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 影响因子:
    0
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