Si量子ドットの表面構造と高機能化：量子収率80％，熱水（80℃）の耐久性を超え
硅量子点的表面结构和高功能性：量子产率达80%，超过热水耐久性（80℃）
基本信息
- 批准号：23K23177
- 负责人：
- 金额：$ 4.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2024
- 资助国家：日本
- 起止时间：2024-02-28 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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齋藤 健一
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Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Grant-in-Aid for Exploratory Research
超臨界領域の気液曲線延長線付近における分子立体配座および二量体の構造
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- 批准年份：2023
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TiC-TiB2颗粒喷射成形原位合成及其对M2高速工具钢共晶碳化物形成与演化的影响
- 批准号：52361020
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