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遷移金属ケイ化物キラル薄膜によるスピン偏極エレクトロニクスの創成
使用过渡金属硅化物手性薄膜创建自旋极化电子器件
基本信息
- 批准号：23K23212
- 负责人：
- 金额：$ 2.16万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2024
- 资助国家：日本
- 起止时间：2024-02-28 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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