その場透過電子顕微鏡法による一次元カーボンナノ材料の形成機構・新規特性解明

原位透射电子显微镜阐明一维碳纳米材料的形成机制和新性能

基本信息

  • 批准号:
    23K23040
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.25万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2024
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2024-02-28 至 2026-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

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安坂 幸師其他文献

グラフェン成長その場観察 ーCVD法・SiC熱分解法ー
石墨烯生长的原位观察-CVD法/SiC热解法-
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
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  • 通讯作者:
    中原 仁
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
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    齋藤 弥八
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利用碳纳米管制造场发射型强电流电子源
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    神村 直輝;當間 郷史;入田 賢;中原 仁;安坂 幸師;齋藤 弥八
  • 通讯作者:
    齋藤 弥八
内層引き抜き現象を利用した多層カーボンナノチューブの層間抵抗の測定
利用内层拉出现象测量多壁碳纳米管层间电阻
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    四ノ宮 悠司;安坂 幸師;中原 仁;齋藤 弥八
  • 通讯作者:
    齋藤 弥八
多層および酸化グラフェンエミッタからの電界放出像
多层和氧化石墨烯发射体的场发射图像
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    渡邉 雄大;星野 徹;横山 昂;入田 賢;中原 仁;安坂 幸師;齋藤 弥八;仁科 勇太
  • 通讯作者:
    仁科 勇太

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  • 作者:
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