半導体光電極における酸素還元反応と光腐食反応の選択的制御と機構解明
半导体光电极中氧还原反应和光腐蚀反应的选择性控制和机理阐明
基本信息
- 批准号：18K14325
- 负责人：
- 金额：$ 2.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份：2018
- 资助国家：日本
- 起止时间：2018-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
申請者は最近，酸素雰囲気下に於いて半導体の光腐食が著しく抑制されることを見出し，この知見を巧く利用することで選択的な酸素の2電子還元反応を達成した．さらに光照射によって理論電解電圧よりも低い電圧で過酸化水素を製造することに成功した．本研究では，半導体における光腐食反応と酸素還元反応の選択的挙動を熱力学的・速度論的視点から解明すべく，(1) 半導体-溶液界面における腐食電位と酸素還元電位のエネルギー相関解明，(2) 光照射下における各反応速度定数の解析．(3) 半導体-溶液の界面構造と反応速度定数の相関解明，以上のテーマに取り組み，半導体電極における酸素還元反応の制御因子の解明を目指す．
申请人最近发现半导体的光腐蚀在氧气氛中被显着抑制，并且通过巧妙地利用该知识，他实现了氧的选择性双电子还原反应。此外，我们成功地利用低于理论电解电压的光照射来生产过氧化氢。在本研究中，为了从热力学和动力学角度阐明半导体中光腐蚀反应和氧还原反应的选择性行为，我们的目的是：（1）阐明半导体-溶液界面腐蚀电位和氧还原电位之间的能量关系； (2)光照射下各反应速率常数的分析。 (3)阐明半导体-溶液界面结构与反应速率常数之间的相关性。我们将围绕上述主题开展工作，旨在阐明半导体电极上氧还原反应的控制因素。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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