119番新元素発見に向けた極薄不感層Si半導体検出器の開発

开发超薄死层硅半导体探测器发现新元素119

基本信息

  • 批准号:
    24K03198
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.9万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2024
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2024-04-01 至 2028-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

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  • 影响因子:
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  • 作者:
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  • 影响因子:
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  • 作者:
    武山 美麗;森谷 透;櫻井 敬久;宮原 ひろ子;門叶 冬樹;Tomohito Baji;仁藤敦史;木村 理;江田真毅・山川史子
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  • 影响因子:
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  • 通讯作者:
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