Development of high-mobility diamond FETs using h-BN heterostructures and exploration of their quantum transport phenomena
利用 h-BN 异质结构开发高迁移率金刚石 FET 并探索其量子输运现象
基本信息
- 批准号：19H02605
- 负责人：
- 金额：$ 11.4万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2019
- 资助国家：日本
- 起止时间：2019-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（18）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Mobility in h-BN gated diamond field-effect transistors
h-BN 门控金刚石场效应晶体管的迁移率
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yosuke Sasama;Taisuke Kageura;Katsuyoshi Komatsu;Satoshi Moriyama;Jun-ichi Inoue;Masataka Imura;Kenji Watanabe;Takashi Taniguchi;Takashi Uchihashi;Yamaguchi Takahide
- 通讯作者：Yamaguchi Takahide
Diamond transistor with an h-BN gate dielectric
具有 h-BN 栅极电介质的金刚石晶体管
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yosuke Sasama;Taisuke Kageura;Katsuyoshi Komatsu;Satoshi Moriyama;Jun-ichi Inoue;Masataka Imura;Kenji Watanabe;Takashi Taniguchi;Takashi Uchihashi;Yamaguchi Takahide;Yamaguchi Takahide
- 通讯作者：Yamaguchi Takahide
Modeling of Electrical Characteristics in Hydrogen-Terminated Diamond Field-Effect Transistors
氢端接金刚石场效应晶体管的电气特性建模
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yamaguchi Takahide;Yosuke Sasama;Taisuke Kageura;Masataka Imura;Kenji Watanabe;Takashi Taniguchi;Takashi Uchihashi
- 通讯作者：Takashi Uchihashi
Diamond / h-BN van der Waals heterostructures for high performance transistors
用于高性能晶体管的金刚石/h-BN范德华异质结构
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：笹間陽介;小松克伊;森山悟士;井村将隆;寺地徳之;渡邊賢司;谷口尚;内橋隆;山口尚秀;笹間 陽介 蔭浦 泰資 井村 将隆 渡邊 賢司 谷口 尚 内橋 隆 山口 尚秀;Yamaguchi Takahide;笹間 陽介 山口 尚秀;Yamaguchi Takahide
- 通讯作者：Yamaguchi Takahide
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YAMAGUCHI Takahide其他文献
Large magneto-conductivity effect in Fe-Phthalocyanine conductor at low temperatures
Fe-酞菁导体在低温下的大磁导效应
- DOI：
- 发表时间：
2009 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
KIMATA Motoi;YAMAGUCHI Takahide;HAZAMA kaori;TERASHIMA Taichi;UJI Shinya;NAITO Toshio;INABE Tamotsu - 通讯作者：
INABE Tamotsu
Interplay between magnetism and conductivity in the one-dimensional organic conductor TPP [Fe(Pc)(CN)_2]_2
一维有机导体 TPP [Fe(Pc)(CN)_2]_2 中磁性和电导率之间的相互作用
- DOI：
- 发表时间：
2009 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
KIMATA Motoi;YAMAGUCHI Takahide;HARADA Atsushi;SATSUKAWA Hidetaka;HAZAMA kaori;TERASHIMA Taichi;UJI Shinya;NAITO Toshio;INABE Tamotsu - 通讯作者：
INABE Tamotsu
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Clarification and exploration of novel transport phenomena caused by electron-electron interactions and spin degrees of freedom in molecular crystals
阐明和探索分子晶体中电子-电子相互作用和自旋自由度引起的新颖输运现象
- 批准号：
22740237 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 11.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Study for the Organizational Capability of Japanese Companies that is to exploit the emerging markets
日本企业开拓新兴市场的组织能力研究
- 批准号：
22330120 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 11.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Nonlinear and spin-dependent transport in correlated electron insulators at ultra low temperatures
超低温相关电子绝缘体中的非线性和自旋相关输运
- 批准号：
20740208 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 11.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
A Research of the organizational capability for transferring the marketing knowhow in multinational enterprises
跨国企业营销知识转移的组织能力研究
- 批准号：
19530348 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 11.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
革新的ダイヤモンドエレクトロニクス創出のための高品質界面の形成
形成高质量接口以创建创新的金刚石电子产品
- 批准号：
22H01962 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 11.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
特異な電子構造を有する含硫黄フェナセン系分子群の伝導特性
具有独特电子结构的含硫非并苯分子的导电性能
- 批准号：
21H02014 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 11.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of pai-Radical Materials for Electronic Devices Utilizing Topological Excited Spin-State Control
利用拓扑激发自旋态控制开发用于电子器件的对自由基材料
- 批准号：
20H02715 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 11.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Importance of liquid crystallinity in realizing polymer-based organic field-effect transistors with high mobility and operational stability
液晶性对于实现具有高迁移率和工作稳定性的聚合物基有机场效应晶体管的重要性
- 批准号：
20K05310 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 11.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of high mobility organic semiconductors with 15 group elements
15族元素高迁移率有机半导体的开发
- 批准号：
20K15261 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 11.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists