Study of precision control of metal-assisted wet-chemical etching of Si using metal multi-layer as a catalyst
以金属多层为催化剂的金属辅助硅湿法化学刻蚀精度控制研究
基本信息
- 批准号:18K04916
- 负责人:
- 金额:$ 2.83万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2018
- 资助国家:日本
- 起止时间:2018-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(22)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Effect of etching solution concentration on preparation of Si holes by metal-assisted chemical etching
刻蚀液浓度对金属辅助化学刻蚀制备硅孔的影响
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:村田恭介;依岡拓也;白岩直哉;伊藤健;新宮原正三;清水智弘
- 通讯作者:清水智弘
Influence of additives on formation of through-Si via in Si substrate using metal assisted chemical etching
添加剂对使用金属辅助化学蚀刻在硅衬底中形成硅通孔的影响
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Shimizu;S. Hanatani;T. Yorioka;N. Niwa;T. Ito;S. Shingubara
- 通讯作者:S. Shingubara
貴金属触媒を用いた湿式Si-TSVエッチングにおける添加剤の効果
添加剂对使用贵金属催化剂的湿法 Si-TSV 蚀刻的影响
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:丹羽良輔;花谷俊輔;山口嵩人;清水智弘;伊藤健;新宮原正三
- 通讯作者:新宮原正三
Effect of concentration of the etching solution on preparation of Si holes using MacEtch process
蚀刻液浓度对 MacEtch 工艺制备硅孔的影响
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Murata;T. Yorioka;T. Ito;S. Shingubara;and T. Shimizu
- 通讯作者:and T. Shimizu
MacEtchによるTSV形成における界面活性剤添加の効果
添加表面活性剂对 MacEtch 形成 TSV 的影响
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:花谷俊輔;依岡拓也;清水智弘;伊藤健;新宮原正三
- 通讯作者:新宮原正三
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- 影响因子:0
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