Study of precision control of metal-assisted wet-chemical etching of Si using metal multi-layer as a catalyst

以金属多层为催化剂的金属辅助硅湿法化学刻蚀精度控制研究

基本信息

  • 批准号:
    18K04916
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.83万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2018
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2018-04-01 至 2022-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(22)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Effect of etching solution concentration on preparation of Si holes by metal-assisted chemical etching
刻蚀液浓度对金属辅助化学刻蚀制备硅孔的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    村田恭介;依岡拓也;白岩直哉;伊藤健;新宮原正三;清水智弘
  • 通讯作者:
    清水智弘
Influence of additives on formation of through-Si via in Si substrate using metal assisted chemical etching
添加剂对使用金属辅助化学蚀刻在硅衬底中形成硅通孔的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Shimizu;S. Hanatani;T. Yorioka;N. Niwa;T. Ito;S. Shingubara
  • 通讯作者:
    S. Shingubara
貴金属触媒を用いた湿式Si-TSVエッチングにおける添加剤の効果
添加剂对使用贵金属催化剂的湿法 Si-TSV 蚀刻的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    丹羽良輔;花谷俊輔;山口嵩人;清水智弘;伊藤健;新宮原正三
  • 通讯作者:
    新宮原正三
Effect of concentration of the etching solution on preparation of Si holes using MacEtch process
蚀刻液浓度对 MacEtch 工艺制备硅孔的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Murata;T. Yorioka;T. Ito;S. Shingubara;and T. Shimizu
  • 通讯作者:
    and T. Shimizu
MacEtchによるTSV形成における界面活性剤添加の効果
添加表面活性剂对 MacEtch 形成 TSV 的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    花谷俊輔;依岡拓也;清水智弘;伊藤健;新宮原正三
  • 通讯作者:
    新宮原正三
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    Tomohiro Shimizu;Wenyang Li;Peng Chen;Yinlai Jiang;Shunta Togo;and Hiroshi Yokoi
  • 通讯作者:
    and Hiroshi Yokoi
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使用阳极氧化铝基底的纳米多孔晶格生物传感器的制备和表征
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Ito;Y. Matsuda;T. Jinba;Naoto Asai;Tomohiro Shimizu;S. Shingubara
  • 通讯作者:
    S. Shingubara

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