Heavy group III, IV, and V elements triangular lattice atomic layers on semiconductor surfaces - a new kind of 2D Dirac materials
半导体表面重III、IV、V族元素三角晶格原子层——一种新型二维狄拉克材料
基本信息
- 批准号：18K04941
- 负责人：
- 金额：$ 2.75万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2018
- 资助国家：日本
- 起止时间：2018-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（5）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Coexistence of two types of spin splitting originating from different symmetries
源自不同对称性的两种自旋分裂的共存
- DOI：10.1103/physrevlett.122.126403
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：8.6
- 作者：Koichiro Yaji;Anton Visikovskiy;Takushi Iimori;Kenta Kuroda;Singo Hayashi;Takashi Kajiwara;Satoru Tanaka;Fumio Komori and Shik Shin
- 通讯作者：Fumio Komori and Shik Shin
Stability and electronic structure of novel triangular lattice atomic layers of In, Tl, Pb, and Bi on SiC(0001)
SiC(0001)上In、Tl、Pb、Bi新型三角晶格原子层的稳定性和电子结构
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Visikovskiy Anton;Kajiwara Takashi;Tanaka Satoru
- 通讯作者：Tanaka Satoru
Computational study of heavy group IV elements (Ge, Sn, Pb) triangular lattice atomic layers on SiC(0001) surface
SiC(0001)表面重IV族元素(Ge、Sn、Pb)三角晶格原子层的计算研究
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Visikovskiy Anton;Hayashi Shingo;Kajiwara Takashi;Komori Fumio;Yaji Koichiro;Tanaka Satoru
- 通讯作者：Tanaka Satoru
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Visikovskiy Anton其他文献
SiC表面及びGraphene/SiC界面におけるSn原子層の形成
SiC表面和石墨烯/SiC界面上Sn原子层的形成
- DOI：
- 发表时间：
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- 影响因子：0
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田中 悟
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- 影响因子：0
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岡田晋
Formation of graphene nanoribbons on the macrofacets of vicinal 6H-SiC(0001) surfaces
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- 影响因子：3.4
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