Fabrication and quantum optical characteristics of Eu doped GaN nanocolumn for quantum information device
量子信息器件用Eu掺杂GaN纳米柱的制备及量子光学特性
基本信息
- 批准号:18K04233
- 负责人:
- 金额:$ 2.83万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2018
- 资助国家:日本
- 起止时间:2018-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(17)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Effect of column diameter and height on optical properties of regularly arranged GaN nanocolumn grown by rf-MBE
柱直径和高度对 rf-MBE 生长的规则排列 GaN 纳米柱光学性能的影响
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:H. Sekiguchi;Y. Higashi;K. Yamane;H. Okada;A. Wakahara;K. Kishino
- 通讯作者:K. Kishino
Possibility of Single Optical Site of Eu and Mg Codoped GaN
Eu 和 Mg 共掺杂 GaN 单光学位点的可能性
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Hiroto Sekiguchi;Masaru Sakai and Akihiro Wakahara
- 通讯作者:Masaru Sakai and Akihiro Wakahara
RF-MBE法によるEu添加GaN薄膜および自己形成ナノコラムにおけるゼーマン分裂
RF-MBE 法研究 Eu 掺杂 GaN 薄膜和自组装纳米柱的塞曼分裂
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:奥野 智大;小野田 稜太;関口 寛人;若原 昭浩;中岡 俊裕
- 通讯作者:中岡 俊裕
Observation of single optical site of Eu and Mg codoped GaN grown by NH3-source molecular beam epitaxy
NH3源分子束外延生长Eu、Mg共掺GaN单光学位点的观察
- DOI:10.1063/1.5090893
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:3.2
- 作者:H. Sekiguchi;M. Sakai;T. Kamada;K. Yamane;H. Okada;and A. Wakahara
- 通讯作者:and A. Wakahara
Eu doped GaN nanocolumn light-emitting diodes exhibiting high emission-wavelength stability
具有高发射波长稳定性的 Eu 掺杂 GaN 纳米柱发光二极管
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:H. Sekiguchi;R. Matsuzaki;A. Sukegawa;K. Yamane;H. Okada;K. Kishino;and A. Wakahara
- 通讯作者:and A. Wakahara
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