Novel development of inter-subband transition optical devices using II-VI compound semiconductors on InP substrates

在 InP 衬底上使用 II-VI 化合物半导体开发子带间跃迁光学器件

• 批准号: 18K04243
• 负责人: NOMURA ICHIROU
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: Sophia University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2018
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2018-04-01 至 2021-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18K04243/
• 关键词: サブバンド間遷移; Ⅱ-Ⅵ族半導体; InP基板; 超格子; 光通信波長帯; 伝導帯バンド不連続; ヘテロ障壁; 共鳴トンネルダイオード; ヘテロ接合; 光導波路; 微分負性抵抗; 光デバイス; 光閉じ込め係数; ショットキー性; 量子カスケードレーザ

项目成果

InP基板上Ⅱ-Ⅵ族半導体光デバイスにおけるn側構造の電気特性解析

InP衬底II-VI族半导体光器件n侧结构电学特性分析

• 发表时间: 2018
• 作者: 小林穂貴;石井健太;前田慶治;野村一郎
• 通讯作者: 野村一郎

InP基板上MgSe/ZnCdSe共鳴トンネルダイオードの特性解析

InP衬底上MgSe/ZnCdSe谐振隧道二极管特性分析

• 发表时间: 2019
• 作者: 前田慶治;酒井琢己;野村一郎
• 通讯作者: 野村一郎

InP基板上ZnCdSe/MgZnCdSe/MgZnSeTe黄色レーザダイオード構造の検討

InP 衬底上 ZnCdSe/MgZnCdSe/MgZnSeTe 黄色激光二极管结构的研究

• 发表时间: 2019
• 作者: 前田慶治;石井健太;小林穂貴;野村一郎
• 通讯作者: 野村一郎

MgSe/ZnCdSe共鳴トンネルダイオード特性の理論解析と素子構造依存性の検討

MgSe/ZnCdSe谐振隧道二极管特性理论分析及器件结构依赖性研究

• 发表时间: 2020
• 作者: 章燕瀛嬌;前田慶治;野村一郎
• 通讯作者: 野村一郎

Investigation of the conduction band discontinuity of the MgSe/ZnCdSe hetero-structure on InP substrates using the n-i-n diode

使用 n-i-n 二极管研究 InP 衬底上 MgSe/ZnCdSe 异质结构的导带不连续性

• 发表时间: 2018
• 作者: Hodaka Kobayashi;Yudai Momose;Takumi Sakai;and Ichirou Nomura
• 通讯作者: and Ichirou Nomura