GaN単結晶における貫通転位の漏れ電流特性を支配する物理的要因の抽出
控制 GaN 单晶中穿透位错漏电流特性的物理因素的提取
基本信息
- 批准号：18K04236
- 负责人：
- 金额：$ 2.83万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2018
- 资助国家：日本
- 起止时间：2018-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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