Decomposition of Sn debris of EUV light source for next-generation semiconductor lithography

用于下一代半导体光刻的 EUV 光源 Sn 碎片的分解

基本信息

批准号：
18K03600
负责人：
Uchino Kiichiro
金额：
$ 2.75万
依托单位：
Kyushu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（4）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

水素プラズマによるSn薄膜のイオンエッチング過程における水素イオンエネルギーの影響

氢离子能量对氢等离子体离子刻蚀Sn薄膜过程的影响

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
永田峻;Ji Mengran;内野喜一郎
通讯作者：
内野喜一郎

Studies on Sn Thin Film Decomposition Using VHF hydrogen plasmas

VHF氢等离子体分解Sn薄膜的研究

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
九州大学大学院総合理工学府報告
影响因子：
0
作者：
Mengran JI;Ryo NAGATA ;and Kiichiro UCHINO
通讯作者：
and Kiichiro UCHINO

VHF 水素プラズマによる高効率のスズ分解除去

使用 VHF 氢等离子体高效分解锡

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
今田玲;永田峻;Ji Mengran;内野喜一郎
通讯作者：
内野喜一郎

Effect of Hydrogen Ion Energy in the Process of Reactive Ion Etching of Sn Thin Films by Hydrogen Plasmas

氢等离子体反应离子刻蚀Sn薄膜过程中氢离子能量的影响

DOI：
10.1585/pfr.16.1406003
发表时间：
2021
期刊：
Plasma and Fusion Research
影响因子：
0.8
作者：
Mengran JI;Ryo NAGATA and Kiichiro UCHINO
通讯作者：
Ryo NAGATA and Kiichiro UCHINO

EUV 光により誘起された水素プラズマのトムソン散乱計測

EUV 光诱导氢等离子体的汤姆逊散射测量

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
堀田隼矢;伊藤文崇;富田健太郎;内野喜一郎
通讯作者：
内野喜一郎

DOI：
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DOI：
10.35848/1882-0786/abfeca
发表时间：
2021
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
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通讯作者：
Nishihara Katsunobu

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DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
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通讯作者：
Naoyuki Sumi

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发表时间：
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期刊：
影响因子：
0
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通讯作者：
石塚隆之・牛山素行

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DOI：
发表时间：
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期刊：
影响因子：
0
作者：
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通讯作者：
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DOI：
10.35848/1347-4065/abfadc
发表时间：
2021
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Kouge Kouichiro;Tomita Kentaro;Hotta Junya;Pan Yiming;Tomuro Hiroaki;Morita Masayuki;Yanagida Tatsuya;Uchino Kiichiro;Yamamoto Naoji
通讯作者：
Yamamoto Naoji

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