4T LT poly-Si TFT with NC technology on glass substrate for low-cost IoT devices

玻璃基板上采用 NC 技术的 4T LT 多晶硅 TFT，适用于低成本物联网设备

基本信息

批准号：
19K04534
负责人：
HARA Akito
金额：
$ 2.75万
依托单位：
Tohoku Gakuin University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（19）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Effects of germanium composition on performance of continuous-wave laser lateral crystallization n-channel polycrystalline silicon-germanium thin-film transistors on glass substrate

锗成分对玻璃基板连续波激光横向晶化n沟道多晶硅锗薄膜晶体管性能的影响

DOI：
10.23919/am-fpd52126.2021.9499190
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Hara Akito;Kitahara Kuninori
通讯作者：
Kitahara Kuninori

Ryo Miyazaki and Akito Hara

宫崎亮和原明人

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
E/E Inverter Using Four
通讯作者：
E/E Inverter Using Four

Four-terminal Cu-MIC Poly-Ge1?xSnx TFT with a High-k Bottom-gate Dielectric

具有高 k 底栅电介质的四端子 Cu-MIC Poly-Ge1?xSnx TFT

DOI：
10.23919/am-fpd.2019.8830606
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Ryo Miyazaki;Akito Hara
通讯作者：
Akito Hara

高誘電率ゲート絶縁膜を利用した4端子低温poly-Si薄膜トランジスタの開発とセンサへの応用

采用高介电常数栅极绝缘膜的四端低温多晶硅薄膜晶体管的开发及其在传感器中的应用

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
鈴木択実;小林達也;原明人
通讯作者：
原明人

ガラス基板上のhigh-k絶縁膜を有する4端子低温poly-Si TFTの特性

玻璃基板上高k绝缘膜4端低温多晶硅TFT的特性

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
西口尚希;原明人
通讯作者：
原明人

DOI：
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