Planar-type electron emission device with high emission efficiency and high energy emission based on atomic layer and nanocrystalline materials
基于原子层和纳米晶材料的高发射效率、高能量发射的平面型电子发射器件
基本信息
- 批准号:19K04516
- 负责人:
- 金额:$ 2.83万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2019
- 资助国家:日本
- 起止时间:2019-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(6)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Electron emission properties of planar-type electron emission sources based on nanocrystalline silicon
纳米晶硅平面型电子发射源的电子发射特性
- DOI:10.1109/ivnc49440.2020.9203289
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Shimawaki H.;Murakami K.;Nagao M.;Mimura H.
- 通讯作者:Mimura H.
微結晶シリコンを用いた平面型電子源からの電子放射(Ⅰ)
使用微晶硅的平面电子源的电子发射 (I)
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:嶋脇秀隆;村上勝久;長尾昌善;根尾陽一郎;三村秀典
- 通讯作者:三村秀典
Electron emission properties of planar-type electron emission sources based on nanocrystalline silicon
纳米晶硅平面型电子发射源的电子发射特性
- DOI:10.1109/ivnc49440.2020.9203289
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Shimawaki H.;Murakami K.;Nagao M.;Mimura H.
- 通讯作者:Mimura H.
Electron Emission Study of Planar-Type Electron Emission Devices Based on Nanocrystalline Silicon
基于纳米晶硅的平面型电子发射器件的电子发射研究
- DOI:10.1149/09204.0223ecst
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Shimawaki Hidetaka;Mimura Hidenori;Murakami Katsuhisa;Nagao Masayoshi
- 通讯作者:Nagao Masayoshi
ナノ結晶シリコンを用いた平面型電子放出素子からの電子放出 (Ⅱ)
使用纳米晶硅的平面电子发射器件的电子发射(II)
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:嶋脇秀隆;村上勝久;長尾昌善;三村秀典
- 通讯作者:三村秀典
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Hidetaka Shimawaki
Electron emission properties of planar-type electron emission sources based on nanocrystalline silicon
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