Investigation and controlling of a quasi-dopant effect at a ferroelectric charged surface and interface
铁电带电表面和界面的准掺杂效应的研究和控制
基本信息
- 批准号：19K04495
- 负责人：
- 金额：$ 2.83万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2019
- 资助国家：日本
- 起止时间：2019-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（40）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
蛍光X線ホログラフィによるMnドープBiFeO3薄膜の電場印加下における構造解析
利用荧光 X 射线全息术分析外加电场下锰掺杂 BiFeO3 薄膜的结构
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：加藤 廉;中嶋 誠二;藤沢 浩訓;木村 耕治;八方 直久;アン アルトニケビンロケロ;加藤 達也;山本 裕太;林 好一
- 通讯作者：林 好一
ピットパターン上に作製したBiFeO?薄膜の帯電ドメインウォールの形成,MRMフォーラム2020,2020,2020,0,0
BiFeO 薄膜中凹坑图案中带电畴壁的形成，MRM 论坛 2020,2020,2020,0,0
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：木村 伶志; 中嶋 誠二; 藤沢 浩訓
- 通讯作者：藤沢 浩訓
Pt及びAl-doped ZnO(AZO)上でのHfO2系薄膜の結晶化
Pt 和 Al 掺杂 ZnO (AZO) 上 HfO2 基薄膜的结晶
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：福島宏昌;藤沢浩訓;中嶋誠二
- 通讯作者：中嶋誠二
Introduction of charged domain walls into BiFeO3 thin films using a pit-patterned SrTiO3 (001) substrate
使用凹坑图案 SrTiO3 (001) 基板将带电畴壁引入 BiFeO3 薄膜
- DOI：10.7567/1347-4065/ab3897
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Nakashima; S. Kimura; Y. Kurokawa; H. Fujisawa;M. Shimizu
- 通讯作者：M. Shimizu
強誘電体BiFeO3薄膜へのMnドープが局所構造および電子状態へ与える影響
Mn掺杂对铁电BiFeO3薄膜局域结构和电子态的影响
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：中嶋誠二
- 通讯作者：中嶋誠二
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Nakashima Seiji其他文献
Domain structure of BiFeO3 thin films grown on patterned SrTiO3(001) substrates
在图案化 SrTiO3(001) 衬底上生长的 BiFeO3 薄膜的域结构
- DOI：
10.7567/jjap.56.10pf17 - 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Nakashima Seiji;Seto Shota;Kurokawa Yuta;Fujisawa Hironori;Shimizu Masaru - 通讯作者：
Shimizu Masaru
Assessment of polarization-related band modulation at graphene/Mn-doped BiFeO3 interfaces by photoemission electron microscopy
通过光电子显微镜评估石墨烯/Mn掺杂BiFeO<sub>3</sub>界面的偏振相关能带调制
- DOI：
10.35848/1347-4065/ac7eaa - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
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- DOI：
10.7567/1347-4065/ab045f - 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Yoshimura Nao;Fujisawa Hironori;Nakashima Seiji;Shimizu Masaru - 通讯作者：
Shimizu Masaru
Electric-field-induced lattice distortion in epitaxial BiFeO3 thin films as determined by in situ time-resolved x-ray diffraction
通过原位时间分辨 X 射线衍射测定外延 BiFeO3 薄膜中电场引起的晶格畸变
- DOI：
10.1063/1.5000495 - 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：
Nakashima Seiji;Sakata Osami;Funakubo Hiroshi;Shimizu Takao;Ichinose Daichi;Takayama Kota;Imai Yasuhiko;Fujisawa Hironori;Shimizu Masaru - 通讯作者：
Shimizu Masaru
Self-regulation of Bi/(Bi+Fe) ratio in metalorganic chemical vapor deposition of BiFeO3 thin films
BiFeO3 薄膜金属有机化学气相沉积中 Bi/(Bi Fe) 比例的自调节
- DOI：
10.7567/jjap.56.10pf05 - 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Fujisawa Hironori;Yoshimura Nao;Nakashima Seiji;Shimizu Masaru - 通讯作者：
Shimizu Masaru
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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Enhancement of an anomalous photovoltaic effect in ferroelectric thin films for an optical actuator application
增强铁电薄膜中的反常光伏效应，用于光学执行器应用
- 批准号：
16K06272 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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- 批准号：
26820115 - 财政年份：2014
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$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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24KJ0509 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
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- 批准号：
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- 资助金额：
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量子技術応用に向けたトポロジカル物質/強磁性半導体ヘテロ構造による量子物性の実現
使用拓扑材料/铁磁半导体异质结构实现量子物理特性，用于量子技术应用
- 批准号：
24KJ0874 - 财政年份：2024
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