Study on the origin and function of high-energy emission around dislocations in III-nitride quantum well structures by nanoscopic spectroscopy
纳米光谱研究III族氮化物量子阱结构位错周围高能发射的起源和作用
基本信息
- 批准号：19K04490
- 负责人：
- 金额：$ 2.83万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2019
- 资助国家：日本
- 起止时间：2019-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（18）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
組成が異なるAlGaN混晶薄膜における暗点のCL強度プロファイル解析
不同成分AlGaN混晶薄膜中暗点的CL强度剖面分析
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：倉井聡;平山舜;Li Jin;中谷文哉;岡田成仁;三宅秀人;山田陽一
- 通讯作者：山田陽一
Temperature-dependent cathodoluminescence mapping of InGaN epitaxial layers with different In compositions
不同 In 成分的 InGaN 外延层随温度变化的阴极发光图
- DOI：10.7567/1347-4065/ab0cfb
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Satoshi Kurai; Ayumu Wakamatsu; Yoichi Yamada
- 通讯作者：Yoichi Yamada
アニール処理されたスパッタAlN テンプレート上AlGaN多重量子井戸における内部量子効率のc 面サファイアm軸オフ角依存性
退火溅射 AlN 模板上 AlGaN 多量子阱中内量子效率的 C 面蓝宝石 m 轴偏角依赖性
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：押村遼太; 赤松勇紀; 藤井厚志; 倉井聡; 室谷英彰; 上杉謙次郎; 三宅秀人; 山田陽一
- 通讯作者：山田陽一
Off-cut angle dependence of internal quantum efficiency in AlGaN multiple quantum wells on face-to-face annealed sputter-deposited AlN templates
AlGaN 多量子阱中内量子效率对面对面退火溅射沉积 AlN 模板的偏角依赖性
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Kurai; A. Fujii; R. Oshimura; Y. Akamatsu; F. Nakatani; K. Uesugi; H. Miyake;Y. Yamada
- 通讯作者：Y. Yamada
Nanoscopic spectroscopy of potential barriers formed around V-pits in InGaN/GaN multiple quantum wells on moderate temperature GaN pit expansion layers
中温 GaN 凹坑扩展层上 InGaN/GaN 多量子阱中 V 凹坑周围形成的势垒的纳米光谱
- DOI：10.1063/1.5043578
- 发表时间：2018-08-28
- 期刊：
- 影响因子：3.2
- 作者：S. Kurai;Kohei Okawa;Ryoga Makio;Genki Nobata;Junjie Gao;Kohei Sugimoto;N. Okada;K. Tadatomo;Y. Yamada
- 通讯作者：Y. Yamada
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Kurai Satoshi其他文献
Effects of GaN cap layer thickness on photoexcited carrier density in green luminescent InGaN multiple quantum wells
绿光发光InGaN多量子阱中GaN盖层厚度对光生载流子密度的影响
- DOI：
10.35848/1347-4065/acc4fd - 发表时间：
2023 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Murotani Hideaki;Nakatsuru Keigo;Kurai Satoshi;Okada Narihito;Yano Yoshiki;Koseki Shuichi;Piao Guanxi;Yamada Yoichi - 通讯作者：
Yamada Yoichi
Separation of effects of InGaN/GaN superlattice on performance of light-emitting diodes using mid-temperature-grown GaN layer
使用中温生长 GaN 层分离 InGaN/GaN 超晶格对发光二极管性能的影响
- DOI：
10.7567/jjap.57.062101 - 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Sugimoto Kohei;Okada Narihito;Kurai Satoshi;Yamada Yoichi;Tadatomo Kazuyuki - 通讯作者：
Tadatomo Kazuyuki
Nanoscopic spectroscopy of potential barriers formed around V-pits in InGaN/GaN multiple quantum wells on moderate temperature GaN pit expansion layers
中温 GaN 凹坑扩展层上 InGaN/GaN 多量子阱中 V 凹坑周围形成的势垒的纳米光谱
- DOI：
10.1063/1.5043578 - 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：3.2
- 作者：
Kurai Satoshi;Okawa Kohei;Makio Ryoga;Nobata Genki;Gao Junji;Sugimoto Kohei;Okada Narihito;Tadatomo Kazuyuki;Yamada Yoichi - 通讯作者：
Yamada Yoichi
Effects of GaN cap layer thickness on photoexcited carrier density in green luminescent InGaN multiple quantum wells
绿光发光InGaN多量子阱中GaN盖层厚度对光生载流子密度的影响
- DOI：
10.35848/1347-4065/acc4fd - 发表时间：
2023 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Murotani Hideaki;Nakatsuru Keigo;Kurai Satoshi;Okada Narihito;Yano Yoshiki;Koseki Shuichi;Piao Guanxi;Yamada Yoichi - 通讯作者：
Yamada Yoichi
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Quantitative analysis of potential barrier in GaInN ternary alloy semiconductor by microscopic spectroscopy and the mechanisms for high quantum efficiency
显微光谱定量分析GaInN三元合金半导体势垒及高量子效率机制
- 批准号：
16K06264 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Study on emission mechanism of inhomogeneous III-nitride mixed crystal semiconductors from the point of view of spatial resolved spectroscopy
从空间分辨光谱角度研究非均匀III族氮化物混晶半导体的发射机理
- 批准号：
25420288 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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Development of Novel Electron Emitter for Photon Enhanced Thermionic Emission Using Thin Film Semiconductor Material
使用薄膜半导体材料开发用于光子增强热电子发射的新型电子发射器
- 批准号：
18K04934 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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非极性面氮化铝镓半导体晶体的高质量及物性控制
- 批准号：
14J02639 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
窒化アルミニウムガリウム超格子のコヒーレント成長機構解明とデバイス応用基礎
氮化铝镓超晶格共格生长机理阐明及器件应用基础
- 批准号：
14J07117 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Study on emission mechanism of inhomogeneous III-nitride mixed crystal semiconductors from the point of view of spatial resolved spectroscopy
从空间分辨光谱角度研究非均匀III族氮化物混晶半导体的发射机理
- 批准号：
25420288 - 财政年份：2013
- 资助金额：
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Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
III族窒化物/炭化珪素界面制御による高性能ヘテロ接合バイポーラトランジスタの実現
III族氮化物/碳化硅界面控制实现高性能异质结双极晶体管
- 批准号：
09J05047 - 财政年份：2009
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows