Clarification and control of valley-spin polarization relaxation in two-dimensional transition metal dichalcogenides

二维过渡金属二硫属化物中谷自旋极化弛豫的澄清和控制

基本信息

  • 批准号：
    19K14633
  • 负责人：
    Shinokita Keisuke
  • 金额：
    $ 2.66万
  • 依托单位：
    Kyoto University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 财政年份：
    2019
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2019-04-01 至 2021-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（23）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
球状微小共振器付き単層 WSe2 の光学特性
球形微腔单层WSe2的光学特性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    矢野 翔太郎;篠北 啓介;宮内 雄平;松田 一成
  • 通讯作者：
    松田 一成
Optical Properties in Van der Waals Heterostructure of Monolayer MoSe2 and Perovskite Manganese Oxide
单层 MoSe2 和钙钛矿锰氧化物范德华异质结构的光学性质
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Yan Zhang;Keisuke Shinokita;Kenji Watanabe;Takashi Taniguchi;Yutaka Moritomo;Yuhei Miyauchi;Kazunari Matsuda1
  • 通讯作者：
    Kazunari Matsuda1
Bright and highly valley polarized trions in chemically doped monolayer MoS2
  • DOI：
    10.35848/1882-0786/ab7485
  • 发表时间：
    2020-02
  • 期刊：
    Applied Physics Express
  • 影响因子：
    2.3
  • 作者：
    Wenjin Zhang;Kenya Tanaka;Y. Hasegawa;K. Shinokita;K. Matsuda;Y. Miyauchi
  • 通讯作者：
    Wenjin Zhang;Kenya Tanaka;Y. Hasegawa;K. Shinokita;K. Matsuda;Y. Miyauchi
Photoluminescence Properties of MoS2/GaN Hetero Structure
MoS2/GaN异质结构的光致发光特性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    S. Mouri;Y. Komichi;K. Shinokita;K. Masuda;and T. Araki
  • 通讯作者：
    and T. Araki
Photoluminescence of Transition Metal Dichalcogenides depending on the Surface Polarity of GaN Support Substrate
过渡金属二硫属化物的光致发光取决于 GaN 支持衬底的表面极性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Shinichiro Mouri;Yuuma Komichi;Keisuke Shinokita;Kazunari Matsuda;Tsutomu Araki
  • 通讯作者：
    Tsutomu Araki
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Shinokita Keisuke其他文献

CdSeナノプレートレット－アクセプター複合系のホット電子緩和と電子移動
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  • DOI：
  • 发表时间：
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  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Yamada Yuki;Zhang Yan;Ikeno Hidekazu;Shinokita Keisuke;Yoshimura Takeshi;Ashida Atsushi;Fujimura Norifumi;Matsuda Kazunari;Kiriya Daisuke;大木悠一朗・太田誠一・伊藤大知;加古稜人，江口大地，玉井尚登
  • 通讯作者：
    加古稜人，江口大地，玉井尚登
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过渡金属二硫属化物单层的新型功能器件
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Zhang Yan;Shinokita Keisuke;Watanabe Kenji;Taniguchi Takashi;Miyauchi Yuhei;Matsuda Kazunari;Taishi Takenobu
  • 通讯作者：
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  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Zhang Yan;Shinokita Keisuke;Watanabe Kenji;Taniguchi Takashi;Goto Masato;Kan Daisuke;Shimakawa Yuichi;Moritomo Yutaka;Nishihara Taishi;Miyauchi Yuhei;Matsuda Kazunari;西直樹 三富優介 田中智也 川脇徳久 根岸雄一
  • 通讯作者：
    西直樹 三富優介 田中智也 川脇徳久 根岸雄一
Local asymptotic normality for discretely observed jump-diffusion processes
离散观察的跳跃扩散过程的局部渐近正态性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Pu Jiang;Ou Hao;Yamada Tomoyuki;Wada Naoki;Naito Hibiki;Ogura Hiroto;Endo Takahiko;Liu Zheng;Irisawa Toshifumi;Yanagi Kazuhiro;Nakanishi Yusuke;Gao Yanlin;Maruyama Mina;Okada Susumu;Shinokita Keisuke;Matsuda Kazunari;Miyata Yasumitsu;Takenobu Taishi;Teppei Ogihara
  • 通讯作者：
    Teppei Ogihara
薄膜半導体・金属における高次高調波発生
薄膜半导体和金属中的高次谐波产生
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Zhang Yan;Shinokita Keisuke;Watanabe Kenji;Taniguchi Takashi;Miyauchi Yuhei;Matsuda Kazunari;内田健人
  • 通讯作者：
    内田健人

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  • 批准号：
    21H01012
  • 财政年份：
    2021
  • 资助金额：
    $ 2.66万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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开发合成技术以创建各种化合物纳米片束及其在能源设备中的应用
  • 批准号：
    20K04560
  • 财政年份：
    2020
  • 资助金额：
    $ 2.66万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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脱羰基芳环反应合成环苯的尝试
  • 批准号：
    17K19123
  • 财政年份：
    2017
  • 资助金额：
    $ 2.66万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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