Study on ultrashort pulsed semiconductor laser diodes for fluorescent bio-imaging
用于荧光生物成像的超短脉冲半导体激光二极管的研究
基本信息
- 批准号：19H02176
- 负责人：
- 金额：$ 11.07万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2019
- 资助国家：日本
- 起止时间：2019-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（6）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
分子線エピタキシー法で成長したGaAs系バイセクションレーザの設計と作製
分子束外延生长 GaAs 基平分激光器的设计与制造
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：石川裕介;荒川亮太;神林大介;成塚重弥;今井大地;宮嶋孝夫
- 通讯作者：宮嶋孝夫
利得スイッチ駆動させた青紫色 GaN 系半導体レーザからの短パルス光の偏光多重とピークパワーの増強
增益开关驱动的蓝紫 GaN 半导体激光器短脉冲光的偏振复用和峰值功率增强
- DOI：
- 发表时间：2023
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：間渕勇多;太田翔也;鈴木晴道;今井大地;宮嶋孝夫
- 通讯作者：宮嶋孝夫
分子線エピタキシー法で成長したGaAs系バイセクションレーザの設計と作製
分子束外延生长 GaAs 基平分激光器的设计与制造
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：石川裕介;荒川亮太;神林大介;成塚重弥;今井大地;宮嶋孝夫
- 通讯作者：宮嶋孝夫
Near-bandgap optical properties of Al1-xInxN thin films grown on a c-plane freestanding GaN substrate
c 面独立式 GaN 衬底上生长的 Al1-xInxN 薄膜的近带隙光学特性
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Hayata Toyoda; Yuto Murakami; Rino Miyata; Daichi Imai; Makoto Miyoshi; Tetsuya Takeuchi;Takao Miyajima
- 通讯作者：Takao Miyajima
分光エリプソメトリーを用いたAl1-xInxN混晶の光学特性解析における誘電関数モデルの検討
椭圆偏振光谱法分析Al1-xInxN混晶光学性质的介电函数模型研究
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：豊田隼大;村上裕人;宮田梨乃;今井大地;宮嶋孝夫; 三好実人;竹内哲也
- 通讯作者：竹内哲也
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Miyajima Takao其他文献
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