Conversion of circularly polarized light to highly polarized long spin-lived electrons by semiconductor quantum structure

通过半导体量子结构将圆偏振光转换为高度偏振的长自旋寿命电子

基本信息

批准号：
19K05313
负责人：
Takeuchi Atsushi
金额：
$ 2.75万
依托单位：
Waseda University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（10）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

GaAs-Al0.3Ga0.7As量子井戸におけるスピン緩和時間の井戸幅依存性(Ⅱ)

GaAs-Al0.3Ga0.7As 量子阱中自旋弛豫时间的阱宽依赖性 (II)

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
松田侑己;中村雄一;大橋龍太郎;菊池哲太;藤沼広輝;下村哲;竹内淳
通讯作者：
竹内淳

Suzhou Institute of Nanotech and Nanobio(中国)

苏州纳米技术与纳米生物研究所（中国）

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

Picosecond spin relaxation in GaSb/AlSb multiple quantum wells with a 1.55-um energy band gap

能带隙为 1.55 微米的 GaSb/AlSb 多量子阱中的皮秒自旋弛豫

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yuichi Nakamura;Lianhe Li;Takuya Kamezaki;Kizuku Yamada;Edmund Linfield;Atsushi Tackeuchi
通讯作者：
Atsushi Tackeuchi

University of Leeds(英国)

利兹大学（英国）

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

Excitation power dependence of spin relaxation time in GaAs/AlGaAs/AlAs type-II tunneling bi-quantum wells

GaAs/AlGaAs/AlAs II 型隧道双量子阱中自旋弛豫时间的激发功率依赖性

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
姜海松，Mahmoud Nasef;藤本勘太郎;浜本貴一;Shinji HAYASHI;中村雄一,松田侑己,藤沼広輝,孫啓明,金子朔夜,中山航,竹内淳
通讯作者：
中村雄一,松田侑己,藤沼広輝,孫啓明,金子朔夜,中山航,竹内淳

DOI：
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作者：
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作者：
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通讯作者：
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通讯作者：
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影响因子：
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发表时间：
2019
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影响因子：
0
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通讯作者：
Shigeru Yamagami