Development of novel processing method for slicing of semiconductor wafer
开发半导体晶圆切片的新型加工方法
基本信息
- 批准号：19K05081
- 负责人：
- 金额：$ 2.75万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2019
- 资助国家：日本
- 起止时间：2019-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（4）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Early stage of Si surface processing by femto-second Ti:sapphire laser pulses
飞秒钛蓝宝石激光脉冲处理硅表面的早期阶段
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Masahito Katto;Masanori Kaku;Masahiro Tsukamoto;Yuji Sato and Atsushi Yokotani
- 通讯作者：Yuji Sato and Atsushi Yokotani
フェムト秒レーザーによるSi表面の相変化
飞秒激光在硅表面发生相变
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：甲藤正人，横谷篤至，加来昌典，大久保友雅，塚本雅裕
- 通讯作者：甲藤正人，横谷篤至，加来昌典，大久保友雅，塚本雅裕
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Katto Masahito其他文献
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