Fabrication of high-performance and low-power-consumption graphene FETs using substrates with ultra-fine metal patterns

使用具有超精细金属图案的基板制造高性能和低功耗的石墨烯FET

基本信息

  • 批准号:
    19K04531
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.75万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2019
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2019-04-01 至 2022-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(7)
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专利数量(0)
転写フリーグラフェンの結晶性に及ぼすNi金属触媒の結晶性の効果II
Ni金属催化剂结晶度对转移游离石墨烯II结晶度的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    高橋明空;芝南々子;久保俊晴;三好実人;江川孝志
  • 通讯作者:
    江川孝志
微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェン膜の作製
利用微结构镍图案的团聚现象在蓝宝石衬底上制备转移的游离石墨烯薄膜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    高橋明空;加藤一朗;久保俊晴;三好実人;江川孝志
  • 通讯作者:
    江川孝志
Motoki Kobayashi, Bilguun Dorjdagva, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, and Takashi Egawa
小林元树、Bilguun Dorjdagva、久保敏晴、三好诚、江川隆
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Masayuki Nakamoto;Jonghyun Moon;Kosuke Shimizu;Effect of crystal quality of Ni metal catalyst on electrical properties of transfer-free graphene FETs
  • 通讯作者:
    Effect of crystal quality of Ni metal catalyst on electrical properties of transfer-free graphene FETs
転写フリーグラェンの結晶性に及ぼすNi金属触媒の結晶性の効果
Ni金属催化剂结晶度对转移游离晶粒结晶度的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    小林幹;Dorjdagva Bilguun;久保俊晴;三好実人;江川孝志
  • 通讯作者:
    江川孝志
Improved field-effect mobility in transfer-free graphene films synthesized via the metal agglomeration technique using high-crystallinity Ni catalyst films
使用高结晶度镍催化剂薄膜通过金属团聚技术合成的无转移石墨烯薄膜的场效应迁移率得到改善
  • DOI:
    10.35848/1882-0786/ac30ed
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.3
  • 作者:
    Toshiharu Kubo;Akira Takahashi;Makoto Miyoshi;Takashi Egawa
  • 通讯作者:
    Takashi Egawa
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