Fabrication of high-performance and low-power-consumption graphene FETs using substrates with ultra-fine metal patterns

使用具有超精细金属图案的基板制造高性能和低功耗的石墨烯FET

基本信息

  • 批准号:
    19K04531
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.75万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2019
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2019-04-01 至 2022-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(7)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
転写フリーグラフェンの結晶性に及ぼすNi金属触媒の結晶性の効果II
Ni金属催化剂结晶度对转移游离石墨烯II结晶度的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    高橋明空;芝南々子;久保俊晴;三好実人;江川孝志
  • 通讯作者:
    江川孝志
微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェン膜の作製
利用微结构镍图案的团聚现象在蓝宝石衬底上制备转移的游离石墨烯薄膜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    高橋明空;加藤一朗;久保俊晴;三好実人;江川孝志
  • 通讯作者:
    江川孝志
転写フリーグラェンの結晶性に及ぼすNi金属触媒の結晶性の効果
Ni金属催化剂结晶度对转移游离晶粒结晶度的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    小林幹;Dorjdagva Bilguun;久保俊晴;三好実人;江川孝志
  • 通讯作者:
    江川孝志
Motoki Kobayashi, Bilguun Dorjdagva, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, and Takashi Egawa
小林元树、Bilguun Dorjdagva、久保敏晴、三好诚、江川隆
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Masayuki Nakamoto;Jonghyun Moon;Kosuke Shimizu;Effect of crystal quality of Ni metal catalyst on electrical properties of transfer-free graphene FETs
  • 通讯作者:
    Effect of crystal quality of Ni metal catalyst on electrical properties of transfer-free graphene FETs
Improved field-effect mobility in transfer-free graphene films synthesized via the metal agglomeration technique using high-crystallinity Ni catalyst films
使用高结晶度镍催化剂薄膜通过金属团聚技术合成的无转移石墨烯薄膜的场效应迁移率得到改善
  • DOI:
    10.35848/1882-0786/ac30ed
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.3
  • 作者:
    Toshiharu Kubo;Akira Takahashi;Makoto Miyoshi;Takashi Egawa
  • 通讯作者:
    Takashi Egawa
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Toshiharu Kubo其他文献

Electron-spin-resonance studies of AlGaN/GaN MIS-HEMT structures with Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> fabricated by atomic layer deposition
  • DOI:
    10.1016/j.physb.2019.07.029
  • 发表时间:
    2019-10-15
  • 期刊:
  • 影响因子:
  • 作者:
    Toshiharu Kubo;Takashi Egawa
  • 通讯作者:
    Takashi Egawa

Toshiharu Kubo的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

相似国自然基金

离子辐照精准调控SnS2栅极敏感材料缺陷密度增强碳基FET型气体传感器性能的研究
  • 批准号:
    12305330
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    30 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
基于原子层沉积半导体沟道的FET生物传感器构筑与性能调控
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2022
  • 资助金额:
    30 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
多模块协同识别的碳基FET生物传感器用于阿尔茨海默症的早期诊断
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2022
  • 资助金额:
    30 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
石墨烯等离激元增强光纤微FET监测类器官标志物及其机理研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2022
  • 资助金额:
    55 万元
  • 项目类别:
    面上项目
基于平面浮栅FET及脉冲电场传感调控的室温氢气传感研究
  • 批准号:
    62204163
  • 批准年份:
    2022
  • 资助金额:
    30.00 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目

相似海外基金

Collaborative Research: FET: Small: Algorithmic Self-Assembly with Crisscross Slats
合作研究:FET:小型:十字交叉板条的算法自组装
  • 批准号:
    2329908
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Collaborative Research: FET: Small: Reservoir Computing with Ion-Channel-Based Memristors
合作研究:FET:小型:基于离子通道忆阻器的储层计算
  • 批准号:
    2403559
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Standard Grant
両極性カーボンナノチューブFETを用いたDNA検出とウイルス検査への応用
双极碳纳米管 FET 检测 DNA 及其在病毒检测中的应用
  • 批准号:
    23K26119
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
CRII: FET: Quantum Advantages through Discrete Quantum Walks
CRII:FET:离散量子行走的量子优势
  • 批准号:
    2348399
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Standard Grant
CAREER: FET: A Top-down Compilation Infrastructure for Optimization and Debugging in the Noisy Intermediate Scale Quantum (NISQ) era
职业:FET:用于噪声中级量子 (NISQ) 时代优化和调试的自上而下的编译基础设施
  • 批准号:
    2421059
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了