Growth of GaAsPN alloys for flexible efficient photovoltaics

用于灵活高效光伏发电的 GaAsPN 合金的生长

• 批准号: 19K04488
• 负责人: Yamane Keisuke
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: Toyohashi University of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2019
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2019-04-01 至 2022-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K04488/
• 关键词: 太陽電池; 結晶成長; 第一原理計算; 希薄窒化物結晶; 化合物太陽電池; 点欠陥; GaAsPN; 分子線エピタキシー; ヘテロ成長; ウエハ接合; 希薄窒化物半導体

项目成果

GaPN混晶でのリン空孔を介した窒素起因点欠陥の消滅 に関する理論的解析(2)

GaPN混晶中磷空位消除氮诱导点缺陷的理论分析（2）

• 发表时间: 2021
• 作者: 大根駿;山根啓輔;若原昭浩
• 通讯作者: 若原昭浩

陽子線・電子線照射されたGaAsPN太陽電池の光起電力特性の解析

质子束和电子束辐照下GaAsPN太阳能电池的光伏特性分析

• 发表时间: 2022
• 作者: 平井健登;山根啓輔;今泉充;大島武;若原昭浩
• 通讯作者: 若原昭浩

Growth of phosphide-based type-II stacked quantum dots for III-V/Si photovoltaic applications

用于 III-V/Si 光伏应用的磷化物基 II 型堆叠量子点的生长

• 发表时间: 2021
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: Jose Alberto Piedra Lorenzana;Kesuke Yamane;Akihito Hori and Akihiro Wakahara
• 通讯作者: Akihito Hori and Akihiro Wakahara

高効率III-V/Si多接合太陽電池実現に向けたType II InP/GaAsPN量子ドットの設計

用于实现高效 III-V/Si 多结太阳能电池的 II 型 InP/GaAsPN 量子点设计

• 发表时间: 2020
• 作者: 堀礼人;山根啓輔;Jose A.Piedra-Lorenzana;若原昭浩
• 通讯作者: 若原昭浩

陽子線および電子線照射がリン系希薄窒化物太陽電池の光起電力特性に与える効果

质子和电子束辐照对磷基稀氮化物太阳能电池光伏性能的影响

• 发表时间: 2022
• 作者: 山根啓輔;大島武;中村徹哉;今泉充;若原昭浩
• 通讯作者: 若原昭浩